积层型晶片变阻器

摘要

本发明之积层型晶片变阻器1包含：变阻器素体5，其系具有复数的变阻层2及以夹住此各变阻层2之方式配置之内部电极4a、4b者；及外部电极，其系设于变阻器素体5之端部，分别连接于内部电极4a、4b。此积层型晶片变阻器1中，变阻层2以ZnO为主成分，并作为副成分含有Pr，此外，内部电极4a、4b含有Pd、Ag，以及对于上述Pd及上述Ag之合计100质量份含有0.005至1.0质量份的Al氧化物。