发明名称 | 发光二极体及其制造方法 | ||
摘要 | 一种发光二极体,包括:一发光二极体晶粒包括一n型半导体层、一活化层与一p型半导体层;一n型欧姆接触电极与上述n型半导体层电性连接;一p型欧姆接触电极与上述p型半导体层电性连接;以及一氮化铝铟镓厚膜位于上述发光二极体晶粒上,且此氮化铝铟镓厚膜具有一斜侧面与一纹理化的上表面。 | ||
申请公布号 | TW200532938 | 申请公布日期 | 2005.10.01 |
申请号 | TW093107439 | 申请日期 | 2004.03.19 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 叶文勇;蔡政达;卓昌正;许荣宗;祁锦云 |
分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | |||
地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |