发明名称 发光二极体及其制造方法
摘要 一种发光二极体,包括:一发光二极体晶粒包括一n型半导体层、一活化层与一p型半导体层;一n型欧姆接触电极与上述n型半导体层电性连接;一p型欧姆接触电极与上述p型半导体层电性连接;以及一氮化铝铟镓厚膜位于上述发光二极体晶粒上,且此氮化铝铟镓厚膜具有一斜侧面与一纹理化的上表面。
申请公布号 TW200532938 申请公布日期 2005.10.01
申请号 TW093107439 申请日期 2004.03.19
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 叶文勇;蔡政达;卓昌正;许荣宗;祁锦云
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人
主权项
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号