微缩闸极尺寸之方法

摘要

提供一种微缩闸极尺寸之方法，此方法系包含利用一热氧化之方法，在半导体基板上及闸极上形成一氧化层，并经由控制其闸极上氧化层之厚度，即可控制闸极上之通道长度，再经由一调配适当之蚀刻溶液将此闸极上之氧化层去除，而达到将闸极尺寸微缩之目的，此可克服微影制程之能力，并以最经济之方法将闸极尺寸微缩至先进制程的需求。