半导体装置之制造方法

摘要

本发明系在元件隔离沟渠形成工序中，防止沟渠内部产生之针状突起闸极电极之绝缘破坏。其解决方法系在元件隔离沟渠形成所用蚀刻掩模之氮化矽膜3上形成氧化矽膜4之后，将在下层设有防止反射膜5之光阻膜6作为掩模而将氮化矽膜3图案化的工序之前，透过用氢氟酸系之蚀刻液洗净基板1之表面，使附着于氧化矽膜4表面上之异物7剥离。