制造半导体元件之方法

摘要

本发明关于一种制造一半导体元件方法，一微小的图案使用一系列氮化物膜之一硬罩膜作为一蚀刻罩被形成，在一硬罩膜移除过程被执行前，使用一氧化物蚀刻物执行既定蚀刻之步骤被加入以移除氮化物膜上之一异常氧化膜，它是因此可能有效地移除硬罩膜，在一硬罩膜底下一图案之孔隙产生可使用BOE而有效地被避免，其中HF与NH4F组成比例与一蚀刻温度被最佳化作为一氧化膜蚀刻物。