发明名称 半导体记忆体装置中的高压产生器
摘要 一高压产生器,系包含一高压准位侦测器,其系用以将一高压和一参考电压作比较,并响应比较结果而产生作为第一逻辑准位的振荡器控制信号;一时脉回馈区块,系用以接收振荡器控制信号和反向激升(pumping)控制信号,并将振荡器赋能信号保持在第一逻辑准位达一预定周期;一振荡器,系用以响应振荡器赋能信号而产生一激升控制信号,并将反向激升控制信号输出至时脉回馈区块,其中该激升控制信号系被周期性地触发;以及一电荷激升区块,系用以响应激升控制信号而提升该高压。
申请公布号 TW200532705 申请公布日期 2005.10.01
申请号 TW093138590 申请日期 2004.12.13
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 都昌镐
分类号 G11C5/14 主分类号 G11C5/14
代理机构 代理人 何金涂;林荣琳
主权项
地址 韩国