| 摘要 |
本发明系一种半导体装置，具有：梯形的第1基极电极及薄长方形的第1射极电极、平板形的第2基极电极、第2射极电极，可确保接合面积，对第1射极电极而言，引线接合位置为有效之配置，但第2射极电极中心附近的基极区域到第2基极电极的距离较长，而有载子萃取较慢的问题。在晶片的一边导出基极及射极端子，将第2射极电极设成平板形，相对于配置有外部端子的晶片边垂直地延伸第1射极电极的半导体装置中，在第2射极电极的附近装设第2基极电极的突出部。藉此，使第2射极电极附近之单元的基极区域可接近第2基极电极，而可提高射极电阻的降低和基极区域的载子之萃取速度。 |
