发明名称 在堆叠的绝缘层中形成开口的方法与在堆叠的绝缘层中形成双镶嵌开口的方法
摘要 一种在堆叠的绝缘层中形成开口的方法,包括:提供导体结构;形成堆叠的绝缘层于导体结构上,其中堆叠的绝缘层包括第一衬层、其上的第一绝缘层、第二衬层、其上的第二绝缘层、一抗反射涂布层与第三绝缘盖层;形成介层开口于堆叠的绝缘层的第一部份中,其中介层开口停在第一衬层上;利用光阻图案作为蚀刻罩幕以形成沟槽开口于堆叠的绝缘层的第二部份中,其中沟槽开口停在第二衬层的上表面,且形成光阻插塞于介层开口中且位于第一衬层上;移除在沟槽开口中所露出的第二衬层部分;移除光阻图案与光阻插塞;以及移除在介层开口中所露出的第一衬层部分,以露出导体结构的上表面部分。
申请公布号 TW200532801 申请公布日期 2005.10.01
申请号 TW094108019 申请日期 2005.03.16
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 杨复凯;孙书辉
分类号 H01L21/31 主分类号 H01L21/31
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号