发明名称 | 砷化镓晶棒之切片前制程 | ||
摘要 | 本发明系关于一种砷化镓晶棒之切片前制程,主要系在晶棒进行切片前,先进行外圆轮磨,再作表面抛光处理,以改善晶棒表面粗糙度后方进行切片,藉此可有效减少晶棒切片时发生晶圆边缘脆裂的现象,而提高切片良率。 | ||
申请公布号 | TWI240964 | 申请公布日期 | 2005.10.01 |
申请号 | TW090115712 | 申请日期 | 2001.06.28 |
申请人 | 金敏精研股份有限公司 | 发明人 | 范执平;谢荣哲 |
分类号 | H01L21/302 | 主分类号 | H01L21/302 |
代理机构 | 代理人 | 林镒珠 台北市中山区长安东路2段112号9楼 | |
主权项 | 1.一种砷化镓晶棒之切片前制程,系在晶棒进行切片(Slicing)以前,先进行一表面抛光处理步骤,以改善晶棒表面的粗糙度及轮磨外圆所留下的变质层,使晶棒表面可避免在切片脆裂,而确保切片良率。2.如申请专利范围第1项所述砷化镓晶棒之切片前制程,该前表面抛光处理系利用一运转状态下的布轮以轮面接触作相对方向运转的晶棒表面,以改变晶棒表面的粗糙度。3.如申请专利范围第1项所述砷化镓晶棒之切片前制程,其切片系利用线切割机或内径锯方式进行。4.如申请专利范围第2项所述砷化镓晶棒之切片前制程,该表面抛光处理步骤系令晶棒表面粗糙度降至Rmax:10nm以下。图式简单说明:第一图A:系本发明进行切边步骤之示意图。第一图B:系本发明进行外圆轮磨步骤之示意图。第二图:系本发明进行表面抛光步骤之示意图。 | ||
地址 | 新竹县竹北市十兴路260号 |