| 主权项 |
1.一种单片式清洗制程,其包含有:提供一蚀刻晶圆(etched wafer),且该蚀刻晶圆之表面包含有一光阻图案;进行一灰化制程(ashing processs),去除该光阻图案;以及顶起(pin up)该蚀刻晶圆,并对该蚀刻晶圆进行一乾式清洁制程。2.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该蚀刻晶圆之表面、晶背与晶边(back-side bevel)残留有复数个蚀刻后所产生之高分子物质(polymer)。3.如申请专利范围第2项所述之制程,其中该乾式清洁制程系用来去除该等高分子物质。4.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该乾式清洁制程系利用一反应气体加以实施。5.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该乾式清洁制程系利用一氧气电浆加以实施。6.如申请专利范围第5项所述之制程,其中该氧气电浆包含有氧气之带电离子(charged ions)、原子团(radicals)、分子及电子。7.如申请专利范围第6项所述之制程,其中在进行该乾式清洁制程时,系利用一设置于该蚀刻晶圆上方之滤片,以容许该氧气电浆之该等原子团通过。8.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该乾式清洁制程系于150℃至300℃下进行。9.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该灰化制程以及该乾式清洁制程系同时(in-situ)于一低压舱中进行。10.如申请专利范围第9项所述之制程,另包含有于该乾式清洁制程后进行一湿式清洁制程。11.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该蚀刻晶圆系利用一承载基座之顶起功能加以顶起。12.一种单片式乾式清洗制程,其包含有:提供一晶圆;以及利用一承载基座之顶起功能(pin-up function)顶起该晶圆,并进行一乾式清洁制程。13.如申请专利范围第12项所述之制程,其中该晶圆系为一蚀刻晶圆(etched wafer),且该蚀刻晶圆之表面另包含有一光阻图案。14.如申请专利范围第13项所述之制程,其中该蚀刻晶圆之表面、晶背与晶边残留有复数个蚀刻后所产生之高分子物质。15.如申请专利范围第14项所述之制程,其中该乾式清洁制程系用以去除该光阻图案以及该等高分子物质。16.如申请专利范围第12项所述之制程,其中于进行该乾式清洁制程之前另包含有一灰化制程,用以去除该光阻图案。17.如申请专利范围第16项所述之制程,其中该灰化制程以及该乾式清洁制程系同时(in-situ)进行于一低压舱中。18.如申请专利范围第12项所述之制程,其中该乾式清洁制程系于150℃至300℃下进行。19.如申请专利范围第12项所述之制程,其中该乾式清洁制程系利用一反应气体加以实施。20.如申请专利范围第19项所述之制程,其中该乾式清洁制程另包含有一激发该反应气体以产生电浆之步骤。21.如申请专利范围第20项所述之制程,其中该电浆包含有该反应气体之带电离子(charged ions)、原子团(radicals)、分子及电子。22.如申请专利范围第21项所述之制程,其中在进行该乾式清洁制程时,系利用一设置于该晶圆上方之滤片,以容许该电浆之原子团通过。23.如申请专利范围第12项所述之制程,另包含有于该乾式清洁制程之后进行一湿式清洁制程。图式简单说明:第1图为习知晶圆清洗制程之流程图。第2图与第3图为本发明之一较佳实施例利用乾式清洗制程清洗晶圆之方法示意图。第4图为本发明另一较佳实施例利用乾式清洁制程清洗晶圆之方法示意图。 |
