| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其特征为具备:在半导体晶圆中形成半导体元件的制程;使前述半导体晶圆,沿着切割线,形成半厚度切割的沟之制程;对前述半导体晶圆的切割区域照射雷射光,将由于切割所形成的切削条痕加以熔融或气化的制程;将黏胶片贴在前述半导体晶圆中的前述半导体元件的形成面上的制程;及将前述半导体元件的形成面的内面,至少研削至达到前述沟为止的深度之制程。2.一种半导体装置之制造方法,其特征为具备:在半导体晶圆中形成半导体元件的制程;使前述半导体晶圆,沿着切割线,形成半厚度切割的沟之制程;将黏胶片贴在前述半导体晶圆中的前述半导体元件的形成面上的制程;将前述半导体元件的形成面的内面,至少研削至达到前述沟为止的深度之制程;及在前述研削制程中,前述半导体晶圆被分割而形成半导体晶片之前述切割区域,而对该切割区域照射雷射光,将由于切割所形成的切削条痕加以熔融或气化的制程。3.如申请专利范围第1项或第2项所述的半导体装置之制造方法,其中前述照射雷射光的制程,系在水中或真空中进行。4.如申请专利范围第1项或第2项所述的半导体装置之制造方法,其中前述雷射光的波长为266nm-1064nm、输出为0.8W-4.5W、照射位置的移动速度为1mm/sec-400mm/sec。5.如申请专利范围第1项或第2项所述的半导体装置之制造方法,其中由于前述雷射光的照射,使露出于前述切割区域的低介电系数膜熔融或气化而固着。6.一种半导体装置之制造装置,其特征为具备:将半导体晶圆,沿着切割线,形成半厚度切割的沟之切割器;将黏胶片贴在前述半导体晶圆中的前述半导体元件的形成面上的胶片黏贴装置;将前述半导体元件中的半导体元件的形成面的内面,至少研削至达到藉由前述半厚度切割所形成的沟为止的深度之研削装置;及对应前述切割器所形成的切割位置,移动雷射光的照射位置,将被形成在前述半导体晶圆的切割区域中的切削条痕,加以熔融或气化的雷射照射装置。图式简单说明:第1图系用来说明关于本发明的第1实施形态的半导体装置之制造方法及半导体装置之制造装置的图,显示出切割制程的立体图。第2图系用来说明关于本发明的第2实施形态的半导体装置之制造方法及半导体装置之制造装置的图,显示出藉由雷射光的照射所进行的晶片的侧面的处理制程。第3图系显示将利用习知和关于本发明的第1实施形态的半导体装置之制造方法及半导体装置之制造装置所形成的半导体晶片的侧面,加以比较的显微镜照相。第4图系显示将利用习知和关于本发明的第1、第2实施形态的半导体装置之制造方法及半导体装置之制造装置所形成的半导体晶片,加以比较的图;显示出晶片的抗折强度和不良率之间的关系。第5图系刀片切割后的半导体晶片的侧面的显微镜照相、及重复进行500回TCT后的半导体晶片的侧面的显微镜照相。第6图系刀片切割后的半导体晶片的侧面的显微镜照相、及重复进行500回TCT后的半导体晶片的侧面的显微镜照相。第7图系显示出藉由FIB法之雷射切割后的半导体晶片之检测结果。第8图系显示出藉由FIB法之利用关于本发明的实施形态的半导体装置之制造方法所形成的半导体晶片之检测结果。第9图系用来说明关于本发明的第1、第2实施形态的半导体装置之制造方法及半导体装置之制造装置的变化例之立体图。第10图系用来说明习知的半导体装置之制造方法及半导体装置之制造装置的图,显示出用来将半导体晶圆分割而形成半导体晶片之切割制程及切割装置。 |
