| 主权项 |
1.一种释气阳极用之阀金属电极基材,该金属具有晶体粒制成之结构,包括至少一面平均粗糙度Ra,以中间线Pc在8.8微米左右平均带宽的表面测定器测得为2至6微米,其高一般与晶体粒界面相符,该高深度,在该晶体粒平均尺寸之20至80%之间者。2.如申请专利范围第1项之基材,其中平均粗糙度在2.5和4.5微米之间者。3.如申请专利范围第1或2项之基材,其中阀金属包括钛者。4.如申请专利范围第1项之基材,其中晶体粒平均尺寸在20和80微米之间者。5.如申请专利范围第4项之基材,其中晶体粒平均尺寸在30和50微米之间者。6.如申请专利范围第1项之基材,选自实体片材、多孔片材、压平和未压片扩张片材、杆和棒之群组者。7.一种电化学电池内释气用阳极,包括申请专利范围第1项之基材,和施加于平均粗糙度在2和6微米间的该至少一面之至少一涂膜者。8.如申请专利范围第7项之阳极,其中该至少一涂膜渗透入该粗糙度高一般相当于晶体粒界面者。9.如申请专利范围第7或8项之阳极,其中该至少一涂膜厚度不超出晶体粒平均尺寸者。10.如申请专利范围第7项之阳极,其中该至少一涂膜包括至少一种触媒者。11.如申请专利范围第10项之阳极,其中该至少一种触媒包括贵金属或贵金属混合物、纯金属或氧化物,具有电催化性能,从水溶液向释氧反应者。12.如申请专利范围第11项之阳极,其中贵金属总负荷低于10g/m2者。13.如申请专利范围第10项之阳极,其中在平均粗糙度Ra于2和6微米间的该至少一表面与包括至少一种触媒的该至少一涂膜之间,介置又一涂膜,具有保护功能,渗透入该粗糙度高一般相当于晶体粒界面者。14.如申请专利范围第13项之阳极,其中该又一涂膜包括过渡金属氧化物者。15.如申请专利范围第7项之阳极,其中该至少一表面在应用该至少一涂膜后之平均粗糙度Ra,在2和4.5微米之间者。16.一种制造如申请专利范围第1项基材之制法,包括步骤为在含优先腐蚀该晶体粒界面的至少一种媒质之浴液内,加以控制蚀刻者。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该至少一种媒质包括硫酸者。18.如申请专利范围第17项之方法,其中包括硫酸之该浴液浓度在20和30%重量之间,温度在80和95℃之间者。19.如申请专利范围第18项之方法,其中该硫酸添加一种钝化剂者。20.如申请专利范围第19项之方法,其中该溶解之钝化剂系钛,由前次蚀刻继续使用或另行添加,浓度在2和30g/l之间者。21.如申请专利范围第16项之方法,其中该蚀刻处理期限在45至120分钟之间者。22.如申请专利范围第16项之方法,其中该蚀刻步骤之前为至少一项处理,即选自在500和650℃间之温度热退火,并加以喷砂者。23.如申请专利范围第22项之方法,其中喷砂系用氧化铝进行者。24.一种电解池,包括申请专利范围第7至15项中任一项之释氧用阳极者。图式简单说明:第1图为本发明钛电极基材表面之俯视图;第2-3和4图为不按本发明规格的电极基材表面之俯视图;第5图为本发明第1图电极基材之断面图;第6图为不按本发明规格的第3图电极表面之断面图;第7图为对第1和5图的基材应用催化涂膜所得本发明阳极之断面图;第8图为对不按本发明规格的第3和6图基材应用摧化涂膜所得阳极之断面图;第9图为对不按本发明规格的电极基材应用催化涂膜所得另一阳极之断面图。 |
