| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体液晶显示(TFT LCD)装置,包含:一基板;在该基板上形成一薄膜电晶体,并且具有一源极电极与一汲极电极;在该基板整个表面上该薄膜电晶体所在之处形成一绝缘层,并具有一接触孔曝露部分及极电极;以及一对应薄膜电晶体之图素电极,在该绝缘层上形成,并透过接触孔连接到汲极电极,其中该图素电极由多层导电层组成。2.如申请专利范围第1项之TFT LCD装置,其中汲极电极为多层次,并且多层次之最上层由Cr层与MoW层选出。3.如申请专利范围第2项之TFT LCD装置,其中多层导电层为两层结构,其中具有与多层次结构最上层相同之底层材料,以及上层为含Al金属。4.如申请专利范围第2项之TFT LCD装置,其中多层导电层由三层结构组成,具有与多层次结构最上层相同之底层材料,上层为含Al金属,以及具有阴电性之中间层材料位于底层与上层之间的中间准位。5.如申请专利范围第2项之TFT LCD装置,其中多层结构由三层式层次组成,包含底部MoW层与中间含Al金属层。6.如申请专利范围第1项之TFT LCD装置,其中该薄膜电晶体为一上闸极型式多晶矽薄膜电晶体。7.如申请专利范围第1项之TFT LCD装置,其中该绝缘层由感光有基绝缘层组成。8.如申请专利范围第2项之TFT LCD装置,其中小型投影工作为在该绝缘层上表面形成的微型透镜。图式简单说明:图1与图2为传统反射式TFT LCD装置图素部分的切面视图。图3为一上视图,列出根据本发明一实施例之上闸极型式多晶矽TFT LCD装置图素部分的布局。图4列出图3中,沿着线条I-I之切面视图。图5,6,7与8为示意图,列出一方法之处理步骤,制造图4所列的上闸极型式多晶矽TFT LCD装置图素部分。 |
