| 主权项 |
1.一种磁电阻电晶体,其包含有:一磁电阻元件,系作为一射极,该磁电阻元件包含一电阻,该电阻値系随外加磁场而改变;一被动元件,系作为一集极;及一基极,系间隔于该射极与该集极之间,使该射极透过该基极电性导通于该集极。2.如申请专利范围第1项所述之磁电阻电晶体,其中该磁电阻元件系包含磁性多层膜。3.如申请专利范围第1项所述之磁电阻电晶体,其中该磁电阻元件包含单层磁性膜。4.如申请专利范围第1项所述之磁电阻电晶体,其中该磁电阻元件系选自穿隧式磁电阻元件、自旋阀磁电阻元件、巨磁电阻元件与冲击式磁电阻元件所组成的族群其中之一。5.如申请专利范围第1项所述之磁电阻电晶体,其中该被动元件系选自p-n二极体、萧基二极体及电阻其中之一。6.如申请专利范围第1项所述之磁电阻电晶体,其中更包含一欧姆接触层。7.如申请专利范围第1项所述之磁电阻电晶体,其中该欧姆接触层系连接于该集极以提供对外的电性导通。8.如申请专利范围第1项所述之磁电阻电晶体,其中该射极、该基极与该集极系设置于一基板。9.如申请专利范围第8项所述之磁电阻电晶体,其中该射极、该基极与该集极系设置于该基板之同一平面。10.如申请专利范围第8项所述之磁电阻电晶体,其中该射极、该基极与该集极系层叠设置于该基板。11.如申请专利范围第8项所述之磁电阻电晶体,其中该基板为一半导体基板。12.如申请专利范围第11项所述之磁电阻电晶体,其中该半导体基板为矽基板。13.如申请专利范围第11项所述之磁电阻电晶体,其中该半导体基板为砷化镓基板。14.如申请专利范围第8项所述之磁电阻电晶体,其中该基板为玻璃基板。15.如申请专利范围第8项所述之磁电阻电晶体,其中该集极为第二磁电阻元件。16.如申请专利范围第8项所述之磁电阻电晶体,其中该集极具有一可调电阻,该可调电阻値系随外加磁场而改变。17.如申请专利范围第8项所述之磁电阻电晶体,其中该集极系镀有一层以上的磁性膜。18.如申请专利范围第8项所述之磁电阻电晶体,其中该基板为塑胶基板。19.一种磁电阻电晶体,其包含有:一被动元件,系作为一集极;及一磁电阻元件,系包含一基极与一射极,该磁电阻元件具有一可调电阻,该可调电阻値系随外加磁场而改变,该磁电阻元件邻接于该被动元件处系用以作为一基极,该基极系间隔于该射极与该集极之间,使该射极透过该基极电性导通于该集极。20.如申请专利范围第19项所述之磁电阻电晶体,其中该磁电阻元件系至少包含一磁性膜。21.如申请专利范围第20项所述之磁电阻电晶体,其中该磁性膜系包含一铁磁层,系邻接于该集极,该铁磁层系用来做为该基极。22.如申请专利范围第19项所述之磁电阻电晶体,其中该磁电阻元件系选自穿隧式磁电阻元件、自旋阀磁电阻元件、巨磁电阻元件与冲击式磁电阻元件所组成的族群其中之一。23.如申请专利范围第19项所述之磁电阻电晶体,其中该被动元件系选自一二极体及一电阻其中之一。24.如申请专利范围第23项所述之磁电阻电晶体,其中该二极体系选自p-n二极体、p-i-n二极体、萧基二极体(Schottky-barrier diode)、平面掺杂位障(planar-doped-barrier diode)、通道二极体(tunnel diode)、共振穿遂二极体(resonant-tunneling diode)、共振能带间穿遂二极体(resonant-interband-tunneling diode)、单位障穿遂二极体(single-barrier tunnel diode)、单位障能带间穿遂二极体a(single-barrier interband-tunneling diode)、实空间传导二极体(real-space-transfer diode)、异质结构热电子二极体(heterostructure hot-electron diode)、撞击游离崩渡时二极体、(impact-ionization-avalanche transit-time diode)、能障注入渡时二极体(barrier-injectiontransit-time diode)、p-i-n光二极体(p-i-n photodiode)、萧基光二极体(Schottky-barrier photodiode)及崩溃光二极体(avalanche photodiode)。25.如申请专利范围第19项所述之磁电阻电晶体,其中更包含一欧姆接触层。26.如申请专利范围第25项所述之磁电阻电晶体,其中该欧姆接触层系连接于该集极以提供对外的电性导通。27.如申请专利范围第19项所述之磁电阻电晶体,其中该射极、基极与集极系设置于一基板。28.如申请专利范围第27项所述之磁电阻电晶体,其中该射极、基极与集极系设置于该基板之同一平面。29.如申请专利范围第27项所述之磁电阻电晶体,其中该射极、基极与集极系层叠设置于该基板。30.如申请专利范围第27项所述之磁电阻电晶体,其中该基板为一半导体基板。31.如申请专利范围第30项所述之磁电阻电晶体,其中该半导体基板为矽基板。32.如申请专利范围第30项所述之磁电阻电晶体,其中该半导体基板为砷化镓基板。33.如申请专利范围第27项所述之磁电阻电晶体,其中该基板为玻璃基板。34.如申请专利范围第27项所述之磁电阻电晶体,其中该基板为塑胶基板。35.一种磁电阻电晶体,其包含用以作为一射极之一磁电阻元件,该磁电阻元件具有一可调电阻,该可调电阻値系随外加磁场而改变。36.如申请专利范围第35项所述之磁电阻电晶体,更包含一被动元件,系作为一集极,及一基极,该基极系间隔于该射极与该集极之间,使该射极透过该基极电性导通于该集极。图式简单说明:第1图为本发明第一实施例之磁电阻电晶体结构示意图;第2图为本发明第一实施例的基极电流特性曲线图;第3图为本发明第一实施例的集极电流特性曲线图;第4图为为本发明第一实施例的各极电流变化率测量结果图;第5图为本发明第二实施例之磁电阻电晶体结构示意图;第6图为本发明第二实施例的基极电流特性曲线图;第7图为本发明第二实施例的集极电流特性曲线图;第8图为本发明第二实施例的各极电流变化率测量结果;第9图为本发明第三实施例之自旋电晶体结构示意图;及第10图为本发明第三实施例的集极电流变化率测量结果。 |
