半导体或液晶制造装置

摘要

本发明系半导体或液晶制造装置，其系具备：陶瓷保持体1，其系在反应容器9内，且其内部埋设有阻抗发热体3；及筒状支持构件2，其一端2a系用于支持陶瓷保持体1，而他端2b系固定于反应容器9上；筒状支持构件2之一端2a在与陶瓷保持体1呈气密接合的同时，他端2b侧在内部系与隔板6及封止材料7呈气密封止。该半导体或液晶制造装置，在筒状支持构件2内之陶瓷保持体1与隔板6所区划的空间中，系以真空或非活性气体之减压环境为佳。在具有上述结构之半导体或液晶之制造装置中，筒状支持构件容易实施气密封止，可防止露出于陶瓷保持体之背面之电极端子4之腐蚀及氧化，在提高保持体之均热性的同时，亦可提升热效率；此外，因可使筒状支持构件维持较短尺寸，故可达成反应容器之小型化。

主权项

1.一种半导体或液晶制造装置,其特征为具备:陶瓷保持体,其系在被供应气体之反应容器内,把被处理物维持于其表面上的同时,用埋设于其内部之阻抗发热体来进行加热;及筒状支持构件,其一端系用于支持陶瓷保持体之被处理物维持表面以外的部份,而他端系固定于反应容器之一部份上;且筒状支持构件之一端系与陶瓷保持体呈气密接合,同时,筒状支持构件之他端侧在内部系实施气密封止;而在筒状支持构件内之陶瓷保持体与前述他端侧封止部所区划的空间,系属于真空或非活性气体之减压环境。2.如申请专利范围第1项之半导体或液晶制造装置,其中前述筒状支持构件之他端侧系仅以封止材料实施气密封止;或在筒状支持构件之内部配置隔板,并用封止材料把其间隙实施气密封止3.如申请专利范围第1或2项之半导体或液晶制造装置,其中前述筒状支持构件之他端侧封止部之位置,系比筒状支持构件之长方向的中央更靠近筒状支持构件之他端侧。4.如申请专利范围第3项之半导体或液晶制造装置,其中前述筒状支持构件之他端侧封止部系位于筒状支持构件之他端近旁。5.如申请专利范围第1或2项之半导体或液晶制造装置,其中用于前述筒状支持构件之他端侧实施气密封止的封止材料,其耐热性在200℃以上。6.如申请专利范围第5项之半导体或液晶制造装置,其中前述封止材料系玻璃或结晶化玻璃。7.如申请专利范围第5项之半导体或液晶制造装置,其中前述封止材料系耐热树脂。8.如申请专利范围第1或2项之半导体或液晶制造装置,其中前述陶瓷保持体及筒状支持构件系包含从氮化铝、氮化矽、碳化矽、氧化铝中所选出之至少一种陶瓷材料。9.如申请专利范围第1或2项之半导体或液晶制造装置,其中前述阻抗发热体系包含从W、Mo、Pt、Au、Pd、Ag、Ni、Cr中所选出之至少一种金属材料。图式简单说明:图1系本发明之半导体或液晶制造装置之一具体例的概略剖面图。图2系本发明之半导体或液晶制造装置之其他具体例的概略剖面图。