发明名称 发光元件
摘要 本发明之目的为提供可利用于各种领域,且发光特性及发光效率良好之新颖发光元件。本发明系关于一种发光元件,其特征为含有一种以上之下列通式[1]表示之铂错合物:[式中,环A、环B及环C之任二者各自独立地表示可具有取代基之藉由氮原子与铂原子配位之含氮芳香族杂环基,余留之环表示可具有取代基之芳基或可具有取代基之杂芳基;Y表示卤素原子,或者直接键或经由氧原子(-O-)或硫原子(-S-)键结之可具有取代基之芳基或可具有取代基之杂芳基(限制条件为邻接之2个环为含氮芳香族杂环基时,Y不为氯原子;非邻接之2个环为含氮芳香族杂环基时,Y为卤素原子)]。
申请公布号 TWI241150 申请公布日期 2005.10.01
申请号 TW092129881 申请日期 2003.10.28
申请人 高砂香料工业股份有限公司 发明人 伊藤央德;中山裕治;松义正;堀容嗣;时任静士;都筑俊满
分类号 H05B33/22 主分类号 H05B33/22
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路80号6楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路80号6楼
主权项 1.一种发光元件,系在一对电极间形成发光层或者含有发光层之复数有机化合物层者,而具特征为至少在其中之一层含有一种以上之下列通式[1]表示之铂错合物:[式中,环A、环B及环C之任二者各自独立表示可具有取代基之藉由氮原子与铂原子配位之含氮芳香族杂环基,余留之环表示可具有取代基之芳基或可具有取代基之杂芳基;Y表示卤素原子,或者直接键结或经由氧原子(-O-)或硫原子(-S-)键结之可具有取代基之芳基或可具有取代基之杂芳基(限制条件为邻接之2个环为含氮芳香族杂环基时,Y不为氯原子;非邻接之2个环为含氮芳香族杂环基时,Y为卤素原子)]。2.如申请专利范围第1项之发光元件,其中,通式[1]表示之铂错合物为下列通式[1']表示之铂错合物者:(式中,环A1及环B1各自独立,表示可具有取代基之含氮芳香族杂环基,环C1表示可具有取代基之芳基或可具有取代基之杂芳基;X表示卤素原子)。3.如申请专利范围第2项之发光元件,其中,通式[1']表示之铂错合物为下列通式[1a']表示之铂错合物者:(式中,环C'1表示芳基或杂芳基;R1、R2及R3各自独立,表示氢原子、烷基、卤化烷基、芳烷基、烯基、炔基、芳基、胺基、单或二烷胺基、单或二芳胺基、烷氧基、芳氧基、杂芳氧基、烷氧羰基、醯氧基、醯胺基、烷氧羰胺基、芳氧羰胺基、磺醯胺基、胺磺醯基、胺甲醯基、烷硫基、芳硫基、杂芳硫基、磺醯基、亚磺醯基、基、磷醯胺基、羟基、巯基、卤素原子、氰基、磺酸基、羧基、硝基、羟酸基、亚磺酸基、基、脂肪族杂环基、芳香族杂环基、取代矽烷基或聚合性基;又,复数个R1彼此间,复数个R2彼此间,及/或复数个R3彼此间,可与彼等键结之啶环或环C共同形成稠合环;X表示卤素原子;m1、m2及m3分别表示取代基R1、R2及R3之数目,m1表示0至3之整数,m2及m3表示0至4之整数;又,m1、m2及m3为2以上之整数时,复数个R1、复数个R2及复数个R3彼此间可相同亦可互异)。4.如申请专利范围第2项之发光元件,其中,通式[1']表示之铂错合物为下列通式[1b']表示之铂错合物者:(式中,R1、R2、R3、X、m1、m2及m3表示与上述相同之意义)。5.如申请专利范围第1项之发光元件,其中,通式[1]表示之铂错合物为下列通式[1'']表示之铂错合物者:(式中,环B2及环C2各自独立,表示可具有取代基之含氮芳香族杂环基,环A2表示可具有取代基之芳基或可具有取代基之杂芳基;又,环B2与环C2,环C2与环A2,或者环B2、环C2与环A2彼此亦可键结而形成稠合环;X表示卤素原子)。6.如申请专利范围第5项之发光元件,其中,通式[1"]表示之铂错合物为下列通式[1a"]表示之铂错合物者:(式中,环A2表示可具有取代基之芳基或可具有取代基之杂芳基;R1及R3各自独立,表示氢原子、烷基、卤化烷基、芳烷基、烯基、炔基、芳基、胺基、单或二烷胺基、单或二芳胺基、烷氧基、芳氧基、杂芳氧基、烷氧羰基、醯氧基、醯胺基、烷氧羰胺基、芳氧羰胺基、磺醯胺基、胺磺醯基、胺甲醯基、烷硫基、芳硫基、杂芳硫基、磺醯基、亚磺醯基、基、磷醯胺基、羟基、巯基、卤素原子、氰基、磺酸基、羧基、硝基、羟酸基、亚磺酸基、基、脂肪族杂环基、芳香族杂环基、取代矽烷基或聚合性基;又,复数个R1及/或复数个R3,亦可与彼等键结之啶环共同形成稠合环;又,环B'2与环C'2、环C'2与环A2、环B'2与环C'2与环A2亦可互相结合而形成缩合环;m1及m3分别表示取代基R1及R3之数目,m1表示0至3之整数,m3表示0至4之整数;又,m1及m3为2以上之整数时,复数个R1及复数个R3彼此间可相同亦可互异;X与上述相同)。7.如申请专利范围第1项之发光元件,其中,通式[1]表示之铂错合物为下列通式[1'"]表示之铂错合物者:(式中,环B2及环C2各自独立,表示可具有取代基之含氮芳香族杂环基,环A2及环E各自独立,表示可具有取代基之芳基或可具有取代基之杂芳基;环A2与环C2、环C2与环B2、或环A2、环C2及与环B2彼此可键结形成稠合环;又,环A2、环B2、环C2及/或环E具有取代基时,该取代基若为可与金属配位或键结之取代基,可藉由该取代基中之可配位或键结之原子与金属原子配位或键结)。8.如申请专利范围第7项之发光元件,其中,通式[1'"]表示之铂错合物为下列通式[1a''']表示之铂错合物者:(式中,环A2及环E与上述相同;R1及R3各自独立,表示烷基、卤化烷基、芳烷基、烯基、炔基、芳基、胺基、单或二烷胺基、单或二芳胺基、烷氧基、芳氧基、杂芳氧基、烷氧羰基、芳氧羰基、醯氧基、醯胺基、烷氧羰胺基、芳氧羰胺基、磺醯胺基、胺磺醯基、胺甲醯基、烷硫基、芳硫基、杂芳硫基、磺醯基、亚磺醯基、基、磷醯胺基、羟基、巯基、卤素原子、氰基、磺酸基、羧基、硝基、羟酸基、亚磺酸基、基、脂肪族杂环基、芳香族杂环基、取代矽烷基或聚合性基;又,R1及R3可与彼等键结之2个啶环共同形成稠合环;R1与环A2、或R1、R3及环A2可共同形成稠合环;m1及m3分别表示取代基R1及R3之数目,m1表示0至3之整数,m3表示0至4之整数;又,m1及m3为2以上之整数时,复数个R1及复数个R3彼此间可相同亦可互异;又,复数个R1及/或复数个R3,可与彼等键结之啶环共同形成稠合环;再者,R1、R3、环A2及/或环E中之取代基为可与含属配位或可与含属键结之取代基时,可藉由该取代基中之可配位或可键结之原子与金属原子配位或键结)。9.如申请专利范围第7项之发光元件,其中,通式[1'"]表示之铂错合物为下列通式[1b''']表示之铂错合物者:(式中,R1、R2、R3及R4各自独立,表示烷基、卤化烷基、芳烷基、烯基、炔基、芳基、胺基、单或二烷胺基、单或二芳胺基、烷氧基、芳氧基、杂芳氧基、烷氧羰基、芳氧羰基、醯氧基、醯胺基、烷氧羰胺基、芳氧羰胺基、磺醯胺基、胺磺醯基、胺甲醯基、烷硫基、芳硫基、杂芳硫基、磺醯基、亚磺醯基、基、磷醯胺基、羟基、巯基、卤素原子、氰基、磺酸基、羧基、硝基、羟酸基、亚磺酸基、基、脂肪族杂环基、芳香族杂环基、取代矽烷基或聚含性基;又,R1与R2、R1与R3、及R1、R2与R3可与彼等键结之2个啶环,或啶环及苯环共同形成稠合环;m1、m2、m3及m4分别表示取代基R1、R2、R3及R4之数目,m1表示0至3之整数,m2及m3表示0至4之整数,m4表示0至5之整数;又,m1、m2、m3及m4为2以上之整数时,复数个R1、复数个R2、复数个R3及复数个R4彼此间可相同亦可互异;又,R1彼此间,R2彼此间,R3彼此间及/或R4彼此间,可与彼等键结之啶环或苯环共同形成稠合环;再者,R1、R2、R3及/或R4为可与金属配位或可与金属键结之取代基时,可藉由该取代基中之可配位或可键结之原子与金属原子配位或键结)。10.如申请专利范围第1至9项中任一项之发光元件,其中,该发光元件为有机电场发光元件(有机EL元件)者。11.如申请专利范围第1至9项中任一项之发光元件,其中,该至少一层中所含之铂错合物,为可做为有机电场发光元件(有机EL元件)之发光层之掺合材料之作用者。图式简单说明:第1图为表示使用本发明之铂错合物之有机EL元件之构造例。
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