| 主权项 |
1.一种回收挡片之方法,其至少包括:提供一挡片,其中该挡片具有一沉积层;进行一第一热氧化制程,以使一第一部分的该沉积层形成一第一氧化层;移除该第一氧化层;以及对该沉积层进行一第二热氧化制程,以使一第二部分的该沉积层形成一第二氧化层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该沉积层系为一多晶矽层。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该多晶矽层系选自掺杂多晶矽、未掺杂多晶矽与非结晶型多晶矽所组成之群组其中之一。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一及第二热氧化制程之操作温度实质上介于800至1100℃。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一氧化层系为二氧化矽层。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二氧化层系为二氧化矽层。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一氧化层之厚度实质上介于500至1500埃。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二氧化层之厚度实质上介于3000至6000埃。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中移除该第一氧化层之步骤系以湿蚀刻方式进行。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该湿蚀刻方式系以含有氢氟酸之溶液进行。11.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该湿蚀刻方式系以缓冲氧化蚀刻液进行。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该沉积层系于一炉管中形成。13.一种挡片之再利用方法,该方法至少包括:提供一挡片,其中该挡片具有一第一沉积层;对该第一沉积层进行一第一热氧化制程,以使一第一部分的该第一沉积层形成一第一氧化层;移除该第一氧化层;对该第一沉积层进行一第二热氧化制程,以使一第二部分的该第一沉积层形成一第二氧化层;以及沉积一第二沉积层于该第二氧化层上。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第一沉积层系为一多晶矽层。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该多晶矽层系选自掺杂多晶矽、未掺杂多晶矽与非结晶型多晶矽所组成之群组其中之一。16.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第一及第二热氧化制程之操作温度实质上介于800至1100℃。17.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第一氧化层系为二氧化矽层。18.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第二氧化层系为二氧化矽层。19.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第一氧化层之厚度实质上介于500至1500埃。20.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第二氧化层之厚度实质上介于3000至6000埃。21.如申请专利范围第13项所述之方法,其中移除该第一氧化层之步骤系以湿蚀刻方式进行。22.如申请专利范围第21项所述之方法,其中该湿蚀刻方式系以含有氢氟酸之溶液进行。23.如申请专利范围第21项所述之方法,其中该湿蚀刻方式系以缓冲氧化蚀刻液进行。24.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第一沉积层系于一炉管中形成。25.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第二沉积层系为一多晶矽层。26.一种回收晶圆之方法,其至少包括:提供一晶圆,其中该晶圆包含一半导体基板以及一多晶矽层,其中该多晶矽层形成于该半导体基板上;氧化一第一部分的该多晶矽层,以形成一第一氧化层;移除该第一氧化层;以及氧化一第二部分的该多晶矽层,以形成一第二氧化层;其中,该晶圆用于促进该多晶矽层之制程之品质。27.如申请专利范围第26项所述之方法,其中该多晶矽层系选自掺杂多晶矽、未掺杂多晶矽与非结晶型多晶矽所组成之群组其中之一。28.如申请专利范围第26项所述之方法,其中移除该第一氧化层系以一蚀刻方式进行。29.如申请专利范围第28项所述之方法,其中该蚀刻方式系一湿蚀刻方法。30.如申请专利范围第29项所述之方法,其中该湿蚀刻方式系以含有氢氟酸之溶液进行。31.如申请专利范围第29项所述之方法,其中该湿蚀刻方式系以缓冲氧化蚀刻液进行。32.如申请专利范围第26项所述之方法,其中氧化该第一部分的该多晶矽层系以一热氧化方式进行。33.如申请专利范围第26项所述之方法,其中氧化该第二部分的该多晶矽层系以一热氧化方式进行。34.一种晶圆之制造方法,以再利用晶圆,其至少包括:提供一晶圆,其中该晶圆包含一半导体基板以及一多晶矽层,其中该多晶矽层形成于该半导体基板上;氧化一第一部分的该多晶矽层,以形成一第一氧化层;移除该第一氧化层;以及氧化一第二部分的该多晶矽层,以形成一第二氧化层;其中,该晶圆用于促进该多晶矽层之制程之品质。35.如申请专利范围第34项所述之方法,其中该多晶矽层系选自掺杂多晶矽、未掺杂多晶矽与非结晶型多晶矽所组成之群组其中之一。36.如申请专利范围第34项所述之方法,其中移除该第一氧化层系以一蚀刻方式进行。37.如申请专利范围第36项所述之方法,其中该蚀刻方式系一湿蚀刻方法。38.如申请专利范围第37项所述之方法,其中该湿蚀刻方式系以含有氢氟酸之溶液进行。39.如申请专利范围第37项所述之方法,其中该湿蚀刻方式系以缓冲氧化蚀刻液进行。40.如申请专利范围第34项所述之方法,其中氧化该第一部分的该多晶矽层系以一热氧化方式进行。41.如申请专利范围第34项所述之方法,其中氧化该第二部分的该多晶矽层系以一热氧化方式进行。42.一种促进多晶矽制程品质之方法,以再利用一回收晶圆,其至少包括:提供一回收晶圆于一第一多晶矽制程之机台内;以及进行该第一多晶矽制程;其中,该回收晶圆之制造方法,其至少包括:提供一晶圆,其中该晶圆包含一半导体基板以及一第二多晶矽层,其中该第二多晶矽层形成于该半导体基板上;氧化一第一部分的该第二多晶矽层,以形成一第一氧化层;移除该第一氧化层;以及氧化一第二部分的该第二多晶矽层,以形成一第二氧化层。43.如申请专利范围第42项所述之方法,其中该第二多晶矽层系选自掺杂多晶矽、未掺杂多晶矽与非结晶型多晶矽所组成之群组其中之一。44.如申请专利范围第42项所述之方法,其中移除该第一氧化层系以一蚀刻方式进行。45.如申请专利范围第44项所述之方法,其中该蚀刻方式系一湿蚀刻方法。46.如申请专利范围第45项所述之方法,其中该湿蚀刻方式系以含有氢氟酸之溶液进行。47.如申请专利范围第45项所述之方法,其中该湿蚀刻方式系以缓冲氧化蚀刻液进行。48.如申请专利范围第42项所述之方法,其中氧化该第一部分的该第二多晶矽层系以一热氧化方式进行。49.如申请专利范围第42项所述之方法,其中氧化该第二部分的该第二多晶矽层系以一热氧化方式进行。50.如申请专利范围第42项所述之方法,其中该晶圆更包括一第一多晶矽层,该第一多晶矽层系选自掺杂多晶矽、未掺杂多晶矽与非结晶型多晶矽所组成之群组其中之一。图式简单说明:第一图(a)-(f):其系显示本案回收晶圆方法之流程示意图。第二图(a)-(c):其系显示本案再利用晶圆方法之流程示意图。 |
