| 主权项 |
1.一种电浆处理装置用构件,其系使用于施行电浆处理之电浆处理装置,而且至少其一部份暴露于电浆之中者,且前述构件系由铝或铝合金所组成,并在暴露于电浆之部份的表面具有藉由电浆处理而使其氧化之氧化物被覆膜。2.一种电浆处理装置用构件,其系使用于施行电浆处理之电浆处理装置,而且至少其一部份暴露于电浆之中者,且前述构件系由铝或铝合金所组成,并在暴露于电浆之部份的表面具有藉由氧自由基而使其氧化之氧化物被覆膜。3.一种电浆处理装置用构件,其系使用于施行电浆处理之电浆处理装置,而且至少其一部份暴露于电浆之中者,且前述构件系由铝或铝合金所组成,并在暴露于电浆之部份的表面具有含有微量稀有气体成份的铝或铝合金之氧化物被覆膜。4.如申请专利范围第3项之电浆处理装置用构件,其中前述稀有气体成份系氪。5.一种电浆处理装置用构件,其系使用于施行电浆处理之电浆处理装置,而且至少其一部份暴露于电浆之中者,且前述构件系由含有镁、锶或钡之中之至少一个之铝合金所组成,并在暴露于电浆之部份的表面具有氧化物被覆膜;前述氧化物被覆膜含有铝之氧化物、及镁、锶或钡的各氧化物之中之至少一个氧化物。6.如申请专利范围第1项之电浆处理装置用构件,其中前述铝合金至少含有锆。7.如申请专利范围第1项之电浆处理装置用构件,其中前述铝合金至少含有铪。8.如申请专利范围第1项之电浆处理装置用构件,其中前述铝合金系Fe、Mn、Cr、Zn之含有率均为0.01重量%以下。9.一种处理装置用构件,其系使用于在处理容器内对被处理体使用反应性较强之气体或药液而施以处理之处理装置,且至少其一部份暴露于前述气体或药液之中者,且前述构件系由铝或铝合金所组成,并在暴露于前述气体或药液之部份的表面具有藉由电浆处理而使其氧化之氧化物被覆膜。10.一种处理装置用构件,其系使用于在处理容器内对被处理体使用反应性较强之气体或药液而施以处理之处理装置,且至少其一部份系暴露于前述气体或药液之中者,且前述构件系由铝或铝合金所组成,并在暴露于前述气体或药液之部份的表面具有藉由氧自由基而使其氧化之氧化物被覆膜。11.一种处理装置用构件,其系使用于在处理容器内对被处理体使用反应性较强之气体或药液而施以处理之处理装置,且至少其一部份暴露于前述气体或药液之中者,且前述构件系由铝或铝合金所组成,并在暴露于前述气体或药液之部份的表面,具有含有微量稀有气体成份的铝或铝合金之氧化物被覆膜。12.如申请专利范围第11项之处理装置用构件,其中前述稀有气体成份系氪。13.一种处理装置用构件,其系使用于在处理容器内对被处理体使用反应性较强之气体或药液而施以处理之处理装置,且至少其一部份暴露于前述气体或药液之中者,且前述构件系由含有镁、锶或钡之中之至少一个之铝合金所组成,并在暴露于前述气体或药液之部份的表面具有氧化物被覆膜;前述氧化物被覆膜含有铝之氧化物、及镁、锶或钡的各氧化物之中之至少一个氧化物。14.如申请专利范围第9项之处理装置用构件,其中前述铝合金至少含有锆。15.如申请专利范围第9项之处理装置用构件,其中前述铝合金至少含有铪。16.如申请专利范围第9项之处理装置用构件,其中前述铝合金系Fe、Mn、Cr、Zn之含有率均为0.01重量%以下。17.一种电浆处理装置,其系在处理容器内对基板施以电浆处理者,其中:暴露于电浆之构件的至少一部份系由铝或铝合金所组成,在前述铝或铝合金的表面具有藉由电浆处理而使其氧化之氧化物被覆膜。18.一种电浆处理装置,其系在处理容器内对基板施以电浆处理者,其中:暴露于电浆之构件的至少一部份系由铝或铝合金所组成,在前述铝或铝合金的表面具有藉由氧自由基而使其氧化之氧化物被覆膜。19.一种电浆处理装置,其系在处理容器内对基板施以电浆处理者,其中:暴露于电浆之构件的至少一部份系由铝或铝合金所组成,在前述铝或铝合金的表面具有含有微量稀有气体成份的铝或铝合金之氧化物被覆膜。20.如申请专利范围第19项之电浆处理装置,其中前述稀有气体成份系氪。21.一种电浆处理装置,其系在处理容器内对基板施以电浆处理者,其中:暴露于电浆之构件的至少一部份系由含有镁、锶或钡之中之至少一个之铝合金所组成;在前述铝合金的表面系具有氧化物被覆膜;前述氧化物被覆膜含有铝之氧化物、及镁、锶或钡的各氧化物之中之至少一个氧化物。22.如申请专利范围第17项之电浆处理装置,其中前述铝合金至少含有锆。23.如申请专利范围第17项之电浆处理装置,其中前述铝合金至少含有锆。24.如申请专利范围第17项之电浆处理装置,其中前述铝合金系Fe、Mn、Cr、Zn之含有率均为0.01重量%以下。25.一种处理装置,其系在处理容器内对被处理体使用反应性较强之气体或药液而施以处理者,其中:暴露于前述气体或药液之构件的至少一部份系由铝或铝合金所组成;在前述铝或铝合金的表面具有藉由电浆处理而使其氧化之氧化物皮膜。26.一种处理装置,其系在处理容器内对被处理体使用反应性较强之气体或药液而施以处理者,其中:暴露于前述气体或药液之构件的至少一部份系由铝或铝合金所组成;在前述铝或铝合金的表面具有藉由氧自由基而使其氧化之氧化物皮膜。27.一种处理装置,其系在处理容器内对被处理体使用反应性较强之气体或药液而施以处理者,其中:暴露于前述气体或药液之构件的至少一部份系由铝或铝合金所组成;在前述铝或铝合金的表面具有含有微量稀有气体成份的铝或铝合金之氧化物皮膜。28.如申请专利范围第27项之处理装置,其中前述稀有气体成份系氪。29.一种处理装置,其系在处理容器内对被处理体使用反应性较强之气体或药液而施以处理者,其中:暴露于前述气体或药液之构件的至少一部份系由含有镁、锶及钡之中之至少一个之铝合金所组成;前述铝合金的表面具有氧化物皮膜;前述氧化物皮膜含有铝之氧化物、及镁、锶或钡之中之至少一个氧化物。30.如申请专利范围第25项之处理装置,其中前述铝合金至少含有锆。31.如申请专利范围第25项之处理装置,其中前述铝合金至少含有铪。32.如申请专利范围第25项之处理装置,其中前述铝合金系Fe、Mn、Cr、Zn之含有率均为0.01重量%以下。33.一种电浆处理方法,其系对处理容器内之被处理体施以电浆处理者,且具有:在使由前述处理容器内之铝或铝合金所组成之被处理体的温度成为450℃以下之状态下,藉由因电浆所产生之氧自由基,而在前述处理容器内于前述被处理体的表面进行氧化处理之步骤。34.一种电浆处理方法,其系对处理容器内之被处理体施以电浆处理者,且具有:将前述处理容器内之由铝或铝合金所组成之被处理体的温度加热至150℃至250℃之步骤;及藉由因电浆所产生之氧自由基而在前述处理容器内,于前述被处理体的表面进行氧化处理之步骤。35.如申请专利范围第33项之电浆处理方法,其中前述铝合金至少含有镁。36.如申请专利范围第35项之电浆处理方法,其中镁之含有率系0.5重量%至固溶最大量。37.如申请专利范围第33项之电浆处理方法,其中前述铝合金至少含有锶。38.如申请专利范围第33项之电浆处理方法,其中前述铝合金至少含有钡。39.如申请专利范围第33项之电浆处理方法,其中前述铝合金至少含有锆。40.如申请专利范围第33项之电浆处理方法,其中前述铝合金至少含有铪。41.如申请专利范围第33项之电浆处理方法,其中前述铝合金系Fe、Mn、Cr、Zn之含有率均为0.01重量%以下。42.如申请专利范围第33项之电浆处理方法,其中具有:对前述铝合金之被处理体进行氧化处理之前,使前述被处理体成为450℃以下,而置于氢还原气氛之状态下之前处理步骤。43.如申请专利范围第33项之电浆处理方法,其中当产生前述氧自由基之际,使用于含有氧气体混入氪气之气体。44.如申请专利范围第33项之电浆处理方法,其中当产生前述氧自由基之际,使用于含有氧气体混入氩气之气体。45.如申请专利范围第33项之电浆处理方法,其中前述电浆系藉由微波而产生。图式简单说明:图1系用以实施本发明之实施形态之电浆处理装置之纵截面图。图2系表示氧化处理前的被处理体之Al2O3-Al之深度轮廓之曲线图。图3系表示对室温之被处理体而藉由氧气自由基施以氧化处理时之Al2O3-Al之深度轮廓之曲线图。图4系表示对200℃之被处理体而藉由氧气自由基施以氧化处理时之Al2O3-Al之深度轮廓之曲线图。图5系表示氧化处理前的被处理体之MgO-Mg之深度轮廓之曲线图。图6系表示对室温之被处理体而藉由氧气自由基施以氧化处理时之MgO-Mg之深度轮廓之曲线图。图7系表示对200℃之被处理体而藉由氧气自由基施以氧化处理时之MgO-Mg之深度轮廓之曲线图。图8系表示对25℃之被处理体而藉由含有氪的气体之氧气自由基施以氧化处理时之XPS之深度轮廓之曲线图。图9系表示对镁含有率为2.5重量%之200℃之被处理体而藉由含有氩的气体之氧气自由基施以氧化处理时之XPS之深度轮廓之曲线图。图10系表示对镁含有率为4.5重量%之200℃之被处理体而藉由含有氢的气体之氧气自由基施以氧化处理时之XPS之深度轮廓之曲线图。图11系表示对镁含有率为1.0重量%之被处理体之处理前之XPS之深度轮廓之曲线图。图12系表示对镁含有率为1.0重量%之200℃之被处理体而藉由含有氪的气体之氧气自由基施以氧化处理时之XPS之深度轮廓之曲线图。图13系表示对镁含有率为2.5重量%之200℃之被处理体而藉由含有氪的气体之氧气自由基施以氧化处理时之XPS之深度轮廓之曲线图。图14系表示对镁含有率为4.5重量%之200℃之被处理体而藉由含有氪的气体之氧气自由基施以氧化处理时之XPS之深度轮廓之曲线图。 |
