| 主权项 |
1.一种单晶体CaF2外延成长之晶核晶种,其由SrF2所构成。2.一种单晶体CaF2外延成长之晶核晶种,其包含替代于SrF2结构中氟化物,氟化物由YF3,LaF3,稀土族氟化物,以及其组合物选取出。3.依据申请专利范围第2项之晶核晶种,其中稀土族氟化物由CeF3,NdF3,PrF3,DyF3,SmF3,EuF3,TbF3,及GdF3选取出。4.依据申请专利范围第2项之晶核晶种,其中在SrF2结构中氟化物替代物在10至30%莫耳比范围内。5.一种由熔融物制造单晶体CaF2之处理过程,其包含:将熔融物与由SrF2所构成晶种接触;以及以预先决定速率移动通过热梯度区域,使得单晶体CaF2成长于晶种上。6.依据申请专利范围第5项之处理过程,其中晶种更进一步包含:氟化物替代于SrF2结构中,氟化物由YF3,LaF3,稀土族氟化物,以及其组合物选取出。7.依据申请专利范围第6项之处理过程,其中稀土族氟化物由YF3,LaF3,CeF3,NdF3,PrF3,DyF3,SmF3,EuF3,TbF3,及GdF3选取出。8.依据申请专利范围第7项之处理过程,其中在SrF2结构中稀土族氟化物替代物在10至30%莫耳比范围内。9.一种由熔融物制造CaF2单晶体CaF2之处理过程,其包含:将熔融物与具有SrF2-X组成份之晶种接触,其中X由YF3,LaF3,稀土族氟化物,以及其组合物选取出;以及以预先决定速率移动通过热梯度区域,使得单晶体CaF2成长于晶种上。10.依据申请专利范围第9项之处理过程,其中稀土族氟化物由YF3,LaF3,CeF3,NdF3,PrF3,DyF3,SmF3,EuF3,TbF3,及GdF3选取出。11.依据申请专利范围第10项之处理过程,其中在SrF2结构中稀土族氟化物替代物在10至30%莫耳比范围内。图式简单说明:第一图(图1)显示出Bridgman-Stockbarger晶体成长处理过程。第二图(图2)显示出沿着图1所显示高温炉垂直中心轴之温度分布。第三图(图3)显示出SrF2及LaF3相图。 |
