| 主权项 |
1.一种导电凸块结构,包含:一导电表面于一晶圆上;一第一导电阻障层于部分该导电表面上,该第一导电阻障层具有一底部与一侧壁;一导电润湿层覆盖该底部与该侧壁,其中该导电润湿层与该侧壁达到相同的一顶表面(top surface);一导电种子层覆盖该导电润湿层及该顶表面;一第二导电阻障层于该导电种子层上;及一导电凸块于该第二导电阻障层上。2.如申请专利范围第1项所述之导电凸块结构,更包含一导电中间层介于该导电种子层与该第二导电阻障层之间。3.如申请专利范围第2项所述之导电凸块结构,其中该导电中间层系以铜基材料组成。4.如申请专利范围第1项所述之导电凸块结构,其中该导电表面系由一铝接垫提供。5.如申请专利范围第1项所述之导电凸块结构,其中该导电表面系由一铜接垫提供。6.如申请专利范围第1项所述之导电凸块结构,其中该第一导电阻障层系以钽/氮化钽层基材料组成。7.如申请专利范围第1项所述之导电凸块结构,其中该导电润湿层系以铜基材料组成。8.如申请专利范围第1项所述之导电凸块结构,其中该导电种子层系以铜基材料组成。9.如申请专利范围第1项所述之导电凸块结构,其中该第二导电阻障层系以镍基材料组成。10.一种导电凸块结构,包含:一导电表面于一晶圆上;一凸块下金属层配置于该导电表面上,该凸块下金属层系具有一杯状导电阻障层、一导电润湿层、一导电种子层及一导电阻障层,该杯状导电阻障层系具有一底部与一周边凸缘,该底部系部分接触该导电表面,该导电润湿层系覆盖该底部与该周边凸缘之内侧壁,并与该周边凸缘达到相同的一顶表面(top surface),该导电种子层系覆盖该导电润湿层及该顶表面,该导电阻障层系配置于该导电种子层上;及一导电凸块于该凸块下金属层上。11.如申请专利范围第10项所述之导电凸块结构,更包含一导电中间层介于该导电种子层与该导电阻障层之间。12.如申请专利范围第11项所述之导电凸块结构,其中该导电中间层系以铜基材料组成。13.如申请专利范围第10项所述之导电凸块结构,其中该导电表面系由一铝接垫提供。14.如申请专利范围第10项所述之导电凸块结构,其中该导电表面系由一铜接垫提供。15.如申请专利范围第10项所述之导电凸块结构,其中该杯状导电阻障层系以钽/氮化钽层基材料组成。16.如申请专利范围第10项所述之导电凸块结构,其中该导电润湿层系以铜基材料组成。17.如申请专利范围第10项所述之导电凸块结构,其中该导电种子层系以铜基材料组成。18.如申请专利范围第10项所述之导电凸块结构,其中该导电阻障层系以镍基材料组成。19.一种形成凸块下金属层的方法,包含:提供一导电表面于一晶圆上;形成一光阻层于该晶圆与部分该导电表面上,该光阻层暴露出部分该导电表面;共形形成一第一导电阻障层于该暴露出的导电表面上及该光阻层中,其中该第一导电阻障层于该光阻层中具有一底部与一侧壁;共形形成一导电润湿层于该第一导电阻障层上;及移除部份该第一导电阻障层与部分该导电润湿层以暴露出该光阻层,该导电润湿层与该侧壁达到相同的一顶表面。20.如申请专利范围第19项所述之形成凸块下金属层的方法,其中上述共形形成该第一导电阻障层的步骤系溅镀一钽/氮化钽层基材料。21.如申请专利范围第19项所述之形成凸块下金属层的方法,其中上述共形形成该导电润湿层系溅镀一铜基材料。22.如申请专利范围第19项所述之形成凸块下金属层的方法,其中该移除步骤系以化学机械研磨方式进行。23.一种形成凸块结构的方法,包含:提供一导电表面于一晶圆上;形成一第一光阻层于该晶圆与部分该导电表面上,该第一光阻层暴露出部分该导电表面;共形形成一第一导电阻障层于该暴露出的导电表面上及该第一光阻层中,其中该第一导电阻障层于该第一光阻层中具有一底部与一侧壁;共形形成一导电润湿层于该第一导电阻障层上;移除部份该第一导电阻障层与部分该导电润湿层以暴露出该第一光阻层,该导电润湿层与该侧壁达到相同的一顶表面;移除该第一光阻层;共形形成一导电种子层于该晶圆、该顶表面及该导电润湿层上;形成一第二光阻层覆盖部分该导电种子层并暴露出位于该底部与该顶表面上方的该导电种子层;电镀一第二导电阻障层于该导电种子层上;及电镀一导电凸块于该第二导电阻障层上;及移除该第二光阻层。24.如申请专利范围第23项所述之形成凸块结构的方法,更包含电镀一铜层介于该导电种子层与该第二导电阻障层之间。25.如申请专利范围第23项所述之形成凸块结构的方法,其中上述共形形成该第一导电阻障层的步骤系溅镀一钽/氮化钽层基材料。26.如申请专利范围第23项所述之形成凸块结构的方法,其中上述共形形成该导电润湿层系溅镀一铜基材料。27.如申请专利范围第23项所述之形成凸块结构的方法,其中移除部份该第一导电阻障层之步骤系以化学机械研磨方式进行。图式简单说明:第一图为习知以薄膜电沉积制程制备锡铅凸块的结构剖面图。第二A至第二F图所示为根据本发明制备导电凸块的方法。第三图所示为根据本发明另一导电凸块实施例的剖面示意图。 |
