发明名称 微影装置及元件之制造方法
摘要 一基板之表面映像系产生于一量测站;随后基板移至以一液体填注之一投射透镜与基板之间之一空间,基板接着例如使用一透射影像感测器对准,及使用先前之映像,基板即可准确地曝光,因此映像并不在一液体环境中进行。
申请公布号 TWI240851 申请公布日期 2005.10.01
申请号 TW092131522 申请日期 2003.11.11
申请人 ASML公司 发明人 茄利 罗夫;乔安那 斯朶尔 戴 斯密特;罗夫 爱寇 赛布兰;卡拉司 赛门;赛多斯 玛利那 谋德曼;乔奈思 嘉瑟琳那 哈博特司 姆肯斯;HUBERTUS, MULKENS;爱立克 罗劳夫 鲁丝垂;亨迪卡斯 乔汉司 玛利亚 枚捷;MEIJER
分类号 G03F7/20 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种微影投影装置,包含:-一辐射系统,其系用于提供一辐射之投射光束;-一支撑结构,其系用于支撑图案化装置,该图案化装置系根据所需图案用以图案化该投射光束;-一基板平台,其系用于固定一基板;-一投影系统,其系用于投射该已图案化光束到该基板之一目标物部分上;-一液体供给系统,其系以一液体填注于该投影系统之最终元件与该基板之间之一空间;及-一量测系统,其系用于量测该基板上之复数个点之位置,其特征在该量测系统系配置以利于量测未通过该液体供给系统液体之该基板上之复数个点之位置。2.如申请专利范围第1项之微影投影装置,其中量测系统包含一对准系统,其系用于量测该基板上之复数个对准记号之位置。3.如申请专利范围第1或2项之微影投影装置,其中该基板平台具有一参考点,及该量测系统量测未通过该液体供给系统液体之该参考点之位置。4.如申请专利范围第3项之微影投影装置,其中该量测系统量测及决定该基板上之复数个该对准记号相对于该基板平台上之该参考点之位置。5.如申请专利范围第1或2项之微影投影装置,其中该量测系统包含一水平感测器,其系用于量测该基板上复数个点之高度及/或倾斜度。6.如申请专利范围第1或2项之微影投影装置,其具有一供该基板曝光之曝光站及一分离之量测站,该量测系统提供于该量测站,且该基板平台可移动于该曝光及量测站之间。7.如申请专利范围第6项之微影投影装置,其中设有复数基板平台,各可移动于一曝光站及一量测站之间。8.如申请专利范围第1或2项之微影投影装置,其中该参考点系一透射影像感测器。9.一种元件制造方法,包含以下步骤:-提供一基板,其至少一部分系由一基板平台上之一层辐射一敏感性材料覆盖;-使用一自一量测系统投射之量测光束以量测该基板上之复数个点之位置;-使用一辐射系统以提供一辐射之投射光束;-提供一液体,以填注于该基板与该投射步骤中所用一投影系统之最终元件之间之一空间;-使用图案化装置以将图案之截面施加于投射光束;-将该已图案化光束投射到该层辐射一敏感性材料基板之一目标物部分上,其特征在该量测光束并未投射通过该液体。10.如申请专利范围第9项之元件制造方法,其中量测位置包含量测该基板上之复数个对准记号之位置。11.如申请专利范围第9或10项之元件制造方法,其中量测位置包含量测该基板上复数个点之高度及/或倾斜度。图式简单说明:图1说明本发明实施例之微影投影装置;图2说明本发明实施例之微影投影装置之细部结构;图3说明本发明实施例之图2所示微影投影装置在曝光制程中之不同阶段之相同细部结构;图4说明本发明实施例之一变换液体供给系统;及图5系本发明实施例之图4所示液体供给系统之变换图。
地址 荷兰