| 主权项 |
1.一种晶圆级晶粒堆叠方法,包含:提供一晶圆,该晶圆系具有一第一表面以及一对应之第二表面,且该晶圆系包含有复数个第一晶粒;贴附该晶圆之该第一表面至一感光性黏结胶带;压合该晶圆之该第二表面至一晶粒承载件,使得至少一第一晶粒固定于该晶粒承载件上;对应于该已被固定之第一晶粒,选择性曝光该感光性黏结胶带,以使该感光性黏结胶带形成一黏性释放部位;及分离该感光性黏结胶带与该固定有第一晶粒之晶粒承载件。2.如申请专利范围第1项所述之晶圆级晶粒堆叠方法,其系重覆执行上述之晶圆压合步骤与上述之曝光步骤,使得该晶圆之该些第一晶粒能分批固定于不同之晶粒承载件。3.如申请专利范围第1项所述之晶圆级晶粒堆叠方法,其中在上述之曝光步骤中系选用一光罩,该光罩系具有一透光口,该透光口之尺寸系对应于该已被固定之第一晶粒之尺寸,以供形成该黏性释放部位。4.如申请专利范围第3项所述之晶圆级晶粒堆叠方法,其中在重复执行上述之曝光步骤时,该光罩与该晶圆之位置系被调整。5.如申请专利范围第1项所述之晶圆级晶粒堆叠方法,其中上述之曝光步骤所使用之曝光光源系为UV光。6.如申请专利范围第1项所述之晶圆级晶粒堆叠方法,其中该感光性黏结胶带系为一切割胶带(cuttingtape)。7.如申请专利范围第1项所述之晶圆级晶粒堆叠方法,其另包含有一晶圆切割步骤,以将该晶圆切割为在该感光性黏结胶带上之该些第一晶粒。8.如申请专利范围第7项所述之晶圆级晶粒堆叠方法,其中该晶圆之该第一表面在切割后系为该些第一晶粒之主动面。9.如申请专利范围第1项所述之晶圆级晶粒堆叠方法,其中在该晶圆与该晶粒承载件之间系提供有一黏胶,以固定该第一晶粒。10.如申请专利范围第9项所述之晶圆级晶粒堆叠方法,其另包含:固化该黏胶,于上述之曝光步骤之前。11.如申请专利范围第1项所述之晶圆级晶粒堆叠方法,其中该晶粒承载件系选自于晶圆、印刷电路板、陶瓷电路板与导线架之其中之一。12.如申请专利范围第1项所述之晶圆级晶粒堆叠方法,其中该晶粒承载件系为一已切割之晶圆,其系包含有复数个第二晶粒。13.如申请专利范围第12项所述之晶圆级晶粒堆叠方法,其中该些第二晶粒系为覆晶晶粒。14.如申请专利范围第13项所述之晶圆级晶粒堆叠方法,其中该些第一晶粒系为打线晶粒。15.如申请专利范围第14项所述之晶圆级晶粒堆叠方法,其中该第一晶粒系以背对背方式固定于其中之一第二晶粒。16.如申请专利范围第12项所述之晶圆级晶粒堆叠方法,其中该些第二晶粒之尺寸系为相同或整数倍大于该些第一晶粒。17.一种双晶圆黏晶方法,包含:提供一第一晶圆,该第一晶圆系具有一第一表面以及一对应之第二表面,且该第一晶圆系包含有复数个第一晶粒,该些第一晶粒系区分为复数个黏晶批次;提供一第二晶圆,该第二晶圆系包含有复数个第二晶粒;贴附该第一晶圆之该第一表面至一感光性黏结胶带;压合该第一晶圆之该第二表面至该第二晶圆,使得其中一黏晶批次之该些第一晶粒固定于该第二晶圆之该些第二晶粒;曝光该感光性黏结胶带,以形成一黏性释放部位,其系对应于该些已被固定之第一晶粒;及分离该感光性黏结胶带与该固定有该黏晶批次第一晶粒之第二晶圆。18.如申请专利范围第17项所述之双晶圆黏晶方法,其系重覆执行上述之第一晶圆压合步骤与上述之曝光步骤,使得该第一晶圆之其它黏晶批次之第一晶粒能分批固定于不同之第二晶圆。19.如申请专利范围第17项所述之双晶圆黏晶方法,其中在上述之曝光步骤中系选用一光罩,该光罩系具有复数个透光口,该些透光口之尺寸系对应于该些已被固定之第一晶粒之尺寸,以供形成该些黏性释放部位。20.如申请专利范围第19项所述之双晶圆黏晶方法,其中在重复执行上述之曝光步骤时,该光罩与该第一晶圆之位置系被调整。21.如申请专利范围第17项所述之双晶圆黏晶方法,其中上述之曝光步骤所使用之曝光光源系为UV光。22.如申请专利范围第17项所述之双晶圆黏晶方法,其中该感光性黏结胶带系为一切割胶带(cutting tape)。23.如申请专利范围第17项所述之双晶圆黏晶方法,其另包含有一第一晶圆切割步骤,以将该第一晶圆切割为在该感光性黏结胶带上之该些第一晶粒。24.如申请专利范围第23项所述之双晶圆黏晶方法,其中该第一晶圆之该第一表面在切割后系为该些第一晶粒之该些主动面。25.如申请专利范围第17项所述之双晶圆黏晶方法,其中在该第一晶圆与该第二晶圆之间系形成有一黏胶,以固定该些第一晶粒。26.如申请专利范围第25项所述之双晶圆黏晶方法,其另包含:固化该黏胶,于上述之曝光步骤之前。27.如申请专利范围第17项所述之双晶圆黏晶方法,其中该些第二晶粒系为覆晶晶粒。28.如申请专利范围第27项所述之双晶圆黏晶方法,其中该些第一晶粒系为打线晶粒。29.如申请专利范围第28项所述之双晶圆黏晶方法,其中该些第一晶粒系以背对背方式固定于该些第二晶粒。30.如申请专利范围第17项所述之双晶圆黏晶方法,其中该些第二晶粒之尺寸系为相同或整数倍大于该些第一晶粒。31.如申请专利范围第17项所述之双晶圆黏晶方法,其中该第一晶圆之尺寸系相同于该第二晶圆之尺寸。图式简单说明:第1A至1E图:在习知晶粒堆叠方法中,复数个第一晶粒由晶圆切割至黏晶堆叠过程中之截面示意图;及第2A至2K图:依本发明之晶圆级晶粒堆叠方法,在一具体实施例中复数个第一晶粒由晶圆切割至黏晶堆叠过程中之截面示意图。 |
