| 主权项 |
1.一种用于制造半导体装置之方法,其包括:准备一被界定成一有源区及一场区之半导体基板;于该半导体基板之该有源区及该场区内形成若干字元线;于一结构之上部上沈积一绝缘膜以使字元线间绝缘;将该绝缘膜图案化以打开该有源区之字元线并藉此形成一平台插头接点;沈积一多晶矽膜来填充该平台插头接点;用含有第一掺杂材料之浆体来执行一第一抛光制程,同时只修平该多晶矽膜,藉此暴露该绝缘膜;以及透过使用一含有第二掺杂材料之浆体执行一第二抛光制程,以及透过修平该结构之全部上部来形成一平台插头。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一掺杂材料系硼。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该硼之浓度重量百分比介于2%至5%之间。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二掺杂材料系磷。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该磷之浓度重量百分比介于2%至5%之间。图式简单说明:图1至7系用于解释依照本发明之半导体装置制造方法之半导体装置剖面示意图。 |
