发明名称 图案化金属层的方法及金属内连线的制造方法
摘要 一种图案化金属层的方法,此方法系先形成金属层。然后,利用含卤素之电浆气体蚀刻此金属层,而且在蚀刻金属层的过程中会产生至少一包含有金属卤化物之副产物。之后,进行电浆灰化处理步骤,以热解包含有金属卤化物之副产物及原反应卤素气体。接着,对金属层进行清洗。由于在电浆灰化处理步骤中,包含在金属卤化物之副产物内的卤素气体可以被驱除,因此可以解决在清洗金属层时,此包含在金属卤化物之副产物内的卤素气体会与清洗液中的水产生酸,而腐蚀金属层的问题。
申请公布号 TWI240991 申请公布日期 2005.10.01
申请号 TW093114368 申请日期 2004.05.21
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 蔡健华
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种图案化金属层的方法,包括:形成一金属层;利用一含卤素之电浆气体蚀刻该金属层,而且在蚀刻该金属层的过程中会产生至少一包含有金属卤化物之副产物;进行一电浆灰化(Ash)处理步骤,以热解该包含有金属卤化物之副产物,以及所留下之部分该含卤素之电浆气体,其中该电浆灰化处理步骤所使用的电浆气体包括一含氮气体;以及对该金属层进行清洗。2.如申请专利范围第1项所述之图案化金属层的方法,其中该含氮气体包括氮气与氮气/氧气其中之一。3.如申请专利范围第1项所述之图案化金属层的方法,其中该电浆灰化处理步骤的温度系介于摄氏150度至250度之间。4.如申请专利范围第1项所述之图案化金属层的方法,其中该电浆灰化处理步骤系为一临场(In-Situ)热处理步骤。5.如申请专利范围第1项所述之图案化金属层的方法,其中该金属层的材质包括铝、铝合金、钛化物与矽化金属其中之一。6.一种金属内连线的制造方法,包括:提供一基底,该基底上已形成有多数个元件结构;于该基底上形成一介电层,以覆盖该些元件结构,且该介电层中系形成有多数个插塞,而且该些插塞系与所对应之该些元件结构电性连接;于该介电层上形成一金属层,以覆盖该些插塞;利用一含卤素之电浆气体蚀刻该金属层,以定义出一导线结构,其中在蚀刻该金属层的过程中会产生至少一包含有金属卤化物之副产物,而所定义出之该导线结构系与所对应之该些插塞电性连接;进行一电浆灰化处理步骤,以热解该包含有金属卤化物之副产物,以及所留下之部分该含卤素之电浆气体,其中该电浆灰化处理步骤所使用的电浆气体包括一含氮气体;以及对该导线结构进行清洗。7.如申请专利范围第6项所述之金属内连线的制造方法,其中该含氮气体包括氮气与氮气/氧气其中之一。8.如申请专利范围第6项所述之金属内连线的制造方法,其中该电浆灰化处理步骤的温度系介于摄氏150度至250度之间。9.如申请专利范围第6项所述之金属内连线的制造方法,其中该电浆灰化处理步骤系为一临场热处理步骤。10.如申请专利范围第6项所述之金属内连线的制造方法,其中该金属层的材质包括铝与铝合金其中之一。图式简单说明:图1是依照本发明之一较佳实施例的一种图案化金属层之方法流程图。图2A至图2C是依照本发明之一较佳实施例的一种金属内连线之制造流程剖面示意图。
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