| 主权项 |
1.一种层积陶瓷电容器,具有内电极层与介电层,其特征在于:上述介电层之厚度系2.0m以下,且以上述介电层厚度除以构成上述介电层之介电粒子之平均粒径所求得之介电层1层之平均粒子数系3以上、6以下。2.如申请专利范围第1项所述之层积陶瓷电容器,其中上述介电层包括含有钛酸钡之主成分与副成分,其副成分相对于100莫耳之上述主成分,包括以MgO换算而得之Mg氧化物0.1~3莫耳、以MnO换算而得之Mn氧化物0~0.5莫耳、以V2O5换算而得之V氧化物0~0.5莫耳、以Y2O3换算而得之Y氧化物0~5莫耳、以SiO2换算而得之Si氧化物2~12莫耳、以(BaO+CaO)换算而得之Ba与Ca之氧化物2~12莫耳。3.如申请专利范围第2项所述之层积陶瓷电容器,其中上述介电层包括以MgO换算而得之Mg氧化物0.1~0.5莫耳。4.如申请专利范围第3项所述之层积陶瓷电容器,其中上述介电层包括以MgO换算而得之Mg氧化物0.1~0.3莫耳。5.如申请专利范围第1项所述之层积陶瓷电容器,其中上述介电层包括含有钛酸钡之主成分与副成分,其副成分相对于100莫耳之上述主成分,包括以MgO换算而得之Mg氧化物0.1~3莫耳、以SiO2换算而得之Si氧化物2~12莫耳、以(BaO+CaO)换算而得之Ba与Ca之氧化物2~12莫耳。6.如申请专利范围第5项所述之层积陶瓷电容器,其中上述介电层包括以MgO换算而得之Mg氧化物0.1~0.5莫耳。7.如申请专利范围第6项所述之层积陶瓷电容器,其中上述介电层包括以MgO换算而得之Mg氧化物0.1~0.3莫耳。8.如申请专利范围第1至7项中任一项所述之层积陶瓷电容器,其中上述介电层系以比表面积为3m2/g以上、10m2/g以下之碳酸钡粉末为原料所制造之介电层。图式简单说明:第1图系绘示根据本发明之一实施形态之层积陶瓷电容器之剖面图。 |
