| 主权项 |
1.一种积体电路内部电阻量测电路,适用于一积体电路中量测串联之复数个内部走线电阻之电阻値,以R1,R2,…Rn表示,该积体电路内部电阻量测电路包括:复数个开关,以S0,S1,…Sn表示,其中每一该些开关之其中一端耦接至同一共同节点,每一该些开关之另一端与相邻之一个该开关之间跨接一个该内部走线电阻,即Sk-1与Sk之间跨接对应至Rk之该内部走线电阻,其中0<k≦n;一外部电压Vd,耦接至该积体电路之一外部针脚,经由该共同节点提供该积体电路内部电阻量测电路之一电流;以及一接地电路,导引该内部电阻量测电路之该电流由对应至R1之内部走线电阻与S0耦接之节点流出。2.如申请专利范围第1项所述之积体电路内部电阻量测电路,其中该些内部走线电阻之任意一段电阻値可由下算式表示:Ra+Ra+1+…+Rb-1+Rb=Vd/I(b)-Vd/I(a-1),其中0<a<b<n,a、b、n皆为整数,I(b)为该开关Sb形成通路、其它该些开关形成断路时量测到之该电流,I(a-1)为该开关Sa-1形成通路、其它该些开关形成断路时量测到之该电流。3.如申请专利范围第1项所述之积体电路内部电阻量测电路,其中该些开关为复数个电晶体。4.如申请专利范围第1项所述之积体电路内部电阻量测电路,其中该些开关由一开关选择单元控制通路或断路。5.如申请专利范围第3项所述之积体电路内部电阻量测电路,其中该些开关由该积体电路内部一编码器控制通路或断路。6.一种积体电路内部电阻量测方法,适用于一积体电路中量测复数个内部走线电阻之电阻値,而该些内部走线电阻系以串联方式连接,并以R1,R2,…Rn表示,该积体电路内部电阻量测方法包括:提供复数个开关,以S0,S1,…Sn表示,其中每一该些开关Sk对应至Rk之该内部走线电阻;提供一外部电压Vd;以及计算该些内部走线电阻之任意一段电阻値,其算法可由下列算式表示:Ra+Ra+1+…+Rb-1+Rb=Ra-b=Vd/I(b)-Vd/I(a-1),其中0<a<b<n,a、b、n皆为整数,I(b)为该开关Sb形成通路、其它该些开关形成断路时量测到之该电流,I(a-1)为该开关Sa-1形成通路、其它该些开关形成断路时量测到之该电流。7.一种积体电路内部电阻量测方法,适用于一积体电路中量测复数个内部走线电阻之电阻値,该些内部走线电阻系以串联方式连接,该积体电路内部电阻量测方法包括:提供复数个开关,其个数较该些内部走线电阻之个数多一个,其中每一该些开关之一端相互联结,每一相邻另一端之间跨接一个该内部走线电阻;提供一外部电压;以及提供一量测模式,启动该量测模式时灌入该外部电压,并使该些开关其中之一形成通路,其它该些开关为断路,量测一段相串联之该些内部走线电阻之电阻値之步骤包括:将该段相串联之该些内部电阻二侧耦接之开关分别形成通路,并分别量测一电流;以及分别求出该外部电压与该电流之一商数,则该些商数之差即为所求之该段相串联之该些电阻之电阻値。图式简单说明:第1图是依照本发明中一较佳实施例所绘示之一积体电路及其内部电阻量测电路示意图。第2图是依照本发明中一较佳实施例所绘示之内部电阻量测电路示意图。 |
