| 主权项 |
1.一种用于光学基板涂覆层涂布之真空涂覆装置的电浆源之阴极电极,其特征为阴极电极包括由至少具有3eV能带间之宽带隙材料所组成,且该阴极电极之宽带隙材料是被掺入,用以最佳化主要和二次电子放射,其中该阴极电极之宽带隙材料至少部份由掺质钻石、掺质GaN或掺质AlN或掺质AlGaInN合金所组成,其中该阴极电极之宽带隙材料是钻石掺入氮或硫、钻石同时掺入硼和氮或氮掺质结晶的6H-SiC和4H-SiC或是GaN、AlN和AlGaInN合金掺入Zn、Si或Zn+Si或BN、CN、BCN和其他氮掺质氮化物、硼化物和氧化物。2.如申请专利范围第1项的阴极电极,其中该阴极电极具有一经气相分离(CVD制程)、溅镀或磊晶技术所制且由掺质钻石、掺质GaN或掺质AlN或掺质AlGaInN合金所组成之保护膜层的金属内层结构。3.如申请专利范围第2项的阴极电极,其中该金属内层结构由钨或钼或钽所组成。4.一种真空涂覆装置的电浆源,特别是用于光学基板上涂覆层之涂布,具有防护罩式的阳极电极、外部的磁性线圈和阴极电极,其特征为阴极电极包括由具有能带间之宽带隙材料所组成,其中该阴极电极的宽带隙材料是被掺入用以最佳化主要的和二次的电子放射,且该阴极电极包括由掺质钻石、掺质GaN或掺质AlN或掺质AlGaInN的合金所组成,其中该阴极电极之宽带隙材料是钻石掺入氮或硫、钻石同时掺入硼和氮或氮掺质结晶的6H-SiC和4H-SiC或是GaN、AlN和AlGaInN合金掺入Zn、Si或Zn+Si或BN、CN、BCN和其他氮掺质氮化物、硼化物和氧化物。5.如申请专利范围第4项的电浆源,其中该阴极电极具有一经气相分离(CVD制程)、溅镀或磊晶技术所制且由掺质钻石、掺质GaN或掺质AlN或掺质AlGaInN合金所组成之保护层的金属内层结构。6.如申请专利范围第5项的电浆源,其中该金属内层结构由钨或钼或钽所组成。7.如申请专利范围第5项的电浆源,其中该阴极电极有圆柱状、圆锥状、圆杯状、罩式或圆顶式或栅格式设计。图式简单说明:第1a和1b图电浆源之两种不同的实施形态,用于在光学基板上做大量的涂覆应用的真空涂覆装置。第2到5图根据第1图,用于电浆源之阴极电极的不同实施形态。和第6图根据第1图所用于电浆源的均质化装置。 |
