发明名称 低K値奈米多孔薄膜之多阶段固化MULTI-STAGE CURING OF LOW K NANO-POROUS FILMS
摘要 本发明实施例大致关于一种化学气相沉积低k材料的多阶段固化制程。在特定实施例中,可组合使用电子束照射及热曝晒步骤来控制被并入到膜层中的致孔物的专一性脱气过程,以生成奈米孔洞。依据一特定实施例,由一含矽组成与一特征为具有不稳定基团之不含矽组成反应所形成的一低k层,可藉由先施加热能,再接续以施加一电子束照射的方式而被固化。
申请公布号 TW200532049 申请公布日期 2005.10.01
申请号 TW094109667 申请日期 2005.03.28
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 史密特法兰丝玛;郑宜;任康树;安尚H AHN, SANG H.;德库鲁莱斯特A D'CRUZ, LESTER A.;侯达斯丁W. HO, DUSTIN W.;狄摩斯亚历山卓T DEMOS, ALEXANDROS T.;夏礼群;惠蒂德瑞克R WITTY, DEREK R.;姆萨德希肯
分类号 C23C16/40;C23C16/455 主分类号 C23C16/40
代理机构 代理人 蔡坤财
主权项
地址 美国