发明名称 具有多重介电层之鳍式场效电晶体结构及方法
摘要 本发明揭示用于鳍式场效电晶体(FinFET)结构之方法与结构,其具有不同厚度的闸极介电层覆盖于自基板延伸之鳍状物上。鳍状物具有一通道区,以及在通道区之相对侧之源极与汲极区。较厚之闸极介电层可包括多重介电层,而较薄之闸极介电层可包括较少层的介电层。包括不同于闸极介电层材料之帽盖可置于鳍状物上。
申请公布号 TW200532915 申请公布日期 2005.10.01
申请号 TW094107735 申请日期 2005.03.14
申请人 万国商业机器公司 发明人 威廉F 克拉克;爱德华J 诺瓦克
分类号 H01L29/76;H01L21/82 主分类号 H01L29/76
代理机构 代理人 蔡玉玲
主权项
地址 美国