| 主权项 |
1.一种在一光蚀刻投影装置中在一物件工作台上 定位一物件所需位置之方法,包含: 一辐射系统,用以供应辐射投影光束; 一第一物件工作台用以固定图案形成装置; 一第二物件工作台用以固定一基板;及 一投影系统用以投射形成图案的光束到基板的目 标部位,其具有的特征为其方法包含下列步骤; 一第一放置步骤,其中物件放到工作台上的第一位 置; 一量测步骤,其中决定物件的第一位置与物件所需 位置之间的位移量; 一移离步骤,其中物件被释放及从工作台移开; 一移动步骤,其中物件与工作台彼此间在实质平行 于工作台平面的方向相互移动实质上地该位移量; 及 一第二放置步骤,其中物件实质上放置在工作台的 所需位置上。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该量测步骤包 含对准在物件上的第一标记到第二参考标记。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中该第二标记位 在第一或第二物件工作台上。 4.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中图案形 成装置包含一由第一物件工作台固定的标记。 5.如申请专利范围第4项之方法,其中该第二标记位 在光罩上或基板上。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中该量测步骤是 使用成像装置以决定物件的第一位置与物件所需 的位置之间的位移量来加以完成。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中该量到步骤包 含关于物件的第一位置的制程资讯与关于物件的 所需位置之资讯在计算装置中以决定该位移量。 8.如申请专利范围第1项之方法,其中该位移量偏差 是沿着垂直于工作台平面的轴旋转的。 9.如申请专利范围第1项之方法,其中该物件是固定 在使用一产生真空的表面之地方。 10.如申请专利范围第1项之方法,其中辐射系统包 含一辐射源。 11.一种定位一基板在一基板工作台上所需的位置 之方法,其特征为该方法包含下列步骤: 一第一放置步骤,其中基板放在工作台上的第一位 置; 一量测步骤,其中决定基板的第一位置与基板的所 需位置之间的位移量; 一移离步骤,其中基板被释放及从工作台移开; 一移动步骤,其中基板和工作台彼此间在实质上平 行于工作台平面的方向相互移动实际上地该位移 量;及 一第二放置步骤,其中基板实质上放在工作台上的 所需位置。 12.一种半导体装置之制造方法,包含的步骤为: (a)提供一具有基板的第二物件工作台,该基板至少 部份覆盖一层辐射敏感材料; (b)使用图案形成装置给予在其截面具有一图案的 投影光束;及 (c)投射具图案的光束在辐射敏感材料层的目标部 位上,其特征为,在步骤(c)之前,施行下列动作: 一第一放置步骤,其中基板放在第二物件工作台上 的第一位置; 一量测步骤,其中决定基板的第一位置与基板的所 需位置之间的位移量; 一移离步骤,其中基板被释放及从第二物件工作台 移开; 一移动步骤,其中基板与第二物件工作台彼此间在 实质上平行于第二物件工作台平面的方向互相移 动实际上地该位移量,及 一第二放置步骤,其中基板实质上放在第二物件工 作台上所需的位置。 图式简单说明: 图1图示地描述根据本发明的光蚀刻投影装置; 图2解释在物件工作台上的物件之定位,在物件工 作台的旋转方向之旋转误差的影响。 图3a至3c解释经相对于一干涉仪光束旋转工作台所 引起之光束点误差的产生。 图4a至4c图示地描述在物件工作台上不同地定位物 件。 图5表示根据本发明的物件工作台之较佳具体实施 例。 |
