TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A MATERIAUX DE SOURCE, DE DRAIN ET DE CANAL ADAPTES ET CIRCUIT INTEGRE COMPORTANT UN TEL TRANSISTOR

摘要

Le transistor à effet de champ, de type PMOS ou de type NMOS, comporte une source (10), un drain (11) et un canal (7). Les matériaux de source, de drain et de canal sont choisis de manière à ce que, pour un transistor de type NMOS, l'affinité électronique Xd du matériau de drain soit inférieure à l'affinité électronique Xc du matériau de canal (XdEc).