| 摘要 |
<P>Le transistor à effet de champ comporte, sur un substrat (2), une source (10) et un drain (11) reliés par un canal (7) commandé par une électrode de grille (5) séparée du canal (7) par un isolant de grille (3). Le canal (7) est constitué par une couche en carbone diamant. Le canal (7) peut comporter des dopants du type N ou P, de manière à former respectivement des transistors de type PMOS ou NMOS ayant sensiblement les mêmes dimensions, permettant de constituer des portes logiques, par exemple, de type CMOS, de faibles dimensions. Le canal (7) peut être délimité par gravure isotrope de la couche de carbone diamant, de manière à obtenir un retrait de la couche de carbone diamant sous l'isolant de grille (3). La source (10) et le drain (11) sont délimités par gravure anisotrope d'un matériau semi-conducteur, dans les zones du substrat (2) non recouvertes par l'électrode de grille (5).</P>
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