| 发明名称 |
PROCEDE DE PREPARATION D'UNE COUCHE DE DIOXYDE DE SILICIUM PAR OXYDATION A HAUTE TEMPERATURE SUR UN SUBSTRAT PRESENTANT AU MOINS EN SURFACE DU GERMANIUM OU UN ALLIAGE SICICIUM- GERMANIUM. |
| 摘要 |
<P>Procédé de préparation d'une couche de dioxyde de silicium, par oxydation à haute température, sur un substrat de formule Si1-xGex, dans laquelle x est supérieur à 0 et inférieur ou égal à 1, ledit procédé comprenant les étapes successives suivantes :a) on dépose sur ledit substrat de formule Si1-xGex au moins une couche supplémentaire d'épaisseur hy et de formule globale Si1-yGey dans laquelle y est supérieur à 0 et inférieur à x ;b) on réalise l'oxydation à haute température de ladite couche supplémentaire de formule globale Si1-yGey, moyennant quoi ladite couche supplémentaire est transformée en totalité ou en partie en une couche d'oxyde de silicium SiO2.Procédé de préparation d'un composant optique ou électronique comprenant au moins une étape de préparation d'une couche de SiO2 par le procédé décrit plus haut.</P>
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| 申请公布号 |
FR2868202(A1) |
申请公布日期 |
2005.09.30 |
| 申请号 |
FR20040050590 |
申请日期 |
2004.03.25 |
| 申请人 |
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ETABLISSEMENT DE CARACTERE SCIENTIFIQUE TECHNIQUE ET INDUSTRIEL |
发明人 |
MORICEAU HUBERT;MUR PIERRE |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L21/316;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/316 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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