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Zum Schutz eines Halbleiterbauelements vor Überspannungen wird vorgeschlagen, zur Herstellung von Bipolartransistoren und CMOS-Strukturen des Halbleiterbauelements verwendete Schritte zur integrierten parallelen Herstellung einer Zener-Diode zu verwenden. Diese weist eine erste und eine zweite n-dotierte Zone auf, die sich zwischen der Oberfläche eines Halbleitersubstrats und einem n-dotierten vergrabenen Gebiet erstrecken. In einem der Oberfläche benachbarten Bereich ist die erste n-dotierte Zone mit einer p-Dotierung gegendotiert und stellt ein p-dotiertes Gebiet dar. Ein erster Kontakt ist zum p-dotierten Gebiet, ein Kontakt dagegen zur zweiten n-dotierten Zone ausgebildet, wobei die beiden Kontakte die beiden Anschlüsse der Zener-Diode bilden.
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