发明名称 Verfahren zum Herstellen einer Speicherzelle
摘要 Die Erfindung schafft ein Verfahren zum Herstellen einer Speicherzelle zur Speicherung elektrischer Ladung, die ein Substrat (101), das eine erste Elektrode ausbildet, eine in das Substrat (101) geätzte grabenförmige Vertiefung (102), erhaben in einem Mittenbereich der grabenförmigen Vertiefung (102) und beabstandet zu den Seitenwänden (107) der grabenförmigen Vertiefung (102) bereitgestellt ist, leifähiges Material, das an dem Boden (104) der grabenförmigen Vertiefung (102) einen elektrischen Kontakt zu dem Substrat aufweist, eine auf den Seitenwänden (107) der grabenförmigen Vertiefung (102), dem Boden (104) der grabenförmigen Vertiefung (102) und den Oberflächen des leitfähigen Materials (105) abgeschiedene dielektrische Schicht (108) und eine auf der dielektrischen Schicht (108) abgeschiedene Elektrodenschicht (110), die eine zweite Elektrode ausbildet, aufweist.
申请公布号 DE102004007410(A1) 申请公布日期 2005.09.29
申请号 DE200410007410 申请日期 2004.02.16
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 SEIDL, HARALD;GUTSCHE, MARTIN
分类号 H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/94;H01L31/119;(IPC1-7):H01L21/824 主分类号 H01L21/8242
代理机构 代理人
主权项
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