Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids eines Lichtemissions-Bauteils auf Nitridbasis, und Verfahren zum Herstellen derselben

摘要

Es werden eine Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids eines Lichtemissions-Bauteils auf Nitridbasis und ein zugehöriges Herstellverfahren angegeben. Das Bauteil verfügt über ein Substrat und mehrere Schichten, die auf diesem in der folgenden Abfolge hergestellt sind: eine auf diesem hergestellten Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids, einer auf dieser hergestellten Halbleiterschicht auf Nitridbasis von erstem Leitungstyp, einer auf dieser hergestellten Halbleiterschicht auf Nitridbasis von zweitem Leistungstyp. Das Herstellungsverfahren umfasst das Einleiten einer ersten Reaktionsquelle mit einem ersten Element der Gruppe III in eine Kammer auf einer ersten Temperatur, wobei der Schmelzpunkt des ersten Elements der Gruppe III niedriger als die erste Temperatur ist, wobei das erste Element der Gruppe III auf dem Substat abgeschieden wird. Einleiten einer zweiten Reaktionsquelle mit einem zweiten Element der Gruppe III und einer dritten Reaktionsquelle mit einem Stickstoffelement in die Kammer auf einer zweiten Temperatur, um mit dem ersten Element der Gruppe III auf dem Substrat eine Pufferschicht auf Basis eines ternären Nitrids auszubilden, wobei die zweite Temperatur nicht niedriger als der Schmeldzpunkt des ersten Elements der Gruppe III ist.