电压欠压隔离监测电路

摘要

一种电压欠压隔离监测电路，被监测电源电压经分压电阻加在电压基准芯片的电压采样端，同时经限流电阻加到隔离光耦原边发光二极管的阳极，发光二极管的阴极接到电压基准芯片，隔离光耦副边集电极连接单片机中断口，同时经电阻接单片机电源。当被监测电源电压高于保护值时，通过分压加到电压基准芯片电压采样端的电压高于芯片内部基准电压，电压基准芯片的阴极到阳极导通，隔离光耦的原边二极管导通，副边集电极为低电平；而一旦被监测电源电压低于保护值时，隔离光耦副边集电极跳变到单片机电源电压即高电平，单片机得到被监测电源电压出现欠压的信号。本发明可使单片机工作不受高压强电的影响，保证监测系统的安全性和可靠性。

主权项

1、一种电压欠压隔离监测电路，其特征在于包括隔离光耦(O1)、电压基准芯片(TL431)、原边被监测电源电压(VB)及单片机电源(VCC)，被监测的电源电压(VB)经两个分压电阻(R3、R4)接被监测电源的地(GND1)，第二个分压电阻(R4)上的电压加在电压基准芯片(TL431)的电压采样端(R)，被监测的电源电压(VB)同时经限流电阻(R2)加到隔离光耦(O1)原边发光二极管的阳极，隔离光耦原边发光二极管的阴极接到电压基准芯片的阴极(K)，电压基准芯片的阳极(A)接被监测电源的地(GND1)，隔离光耦副边集电极连接单片机中断口(INT)，同时经电平上拉电阻(R1)接单片机电源(VCC)，隔离光耦副边发射极接单片机电源地(GND)。