| 发明名称 | 局部去除敷在半透明或透明基底上的敷层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及局部去除敷在半透明或透明基底上的敷层的方法，其中，敷层包括至少一个金属层和/或至少一个金属氧化物层，敷在普通或合成玻璃的或者透明塑料的半透明或透明基底上，该方法的特征在于：借助一个固体脉动激光器，或者至少一个脉动激光二极管，将一个脉冲短于30纳秒、波长在10微米和360纳米之间的脉动激光束引至敷层上须去除的地方，所采用的波长使基底和敷层的整体的吸收量小于30％，其中，该方法没有损坏基底的风险。本发明能够经济地局部去除敷在半透明或透明基底上的敷层，不会损坏基底，可获得高精度的定位，同时有敷层部位和无敷层部位之间的过渡质量很高，并且可使基底在去除敷层处重获其原始的物理特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1220557C | 申请公布日期 | 2005.09.28 |
| 申请号 | CN01803916.2 | 申请日期 | 2001.01.17 |
| 申请人 | 瓦洛尼亚空间后勤股份有限公司 | 发明人 | 阿克瑟尔·库皮斯维茨 |
| 分类号 | B08B7/00;B23K26/40 | 主分类号 | B08B7/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李德山 |
| 主权项 | 1.局部去除敷层(2)的方法，敷层包括至少一个金属层和/或至少一个金属氧化物层，敷在普通或合成玻璃的或者透明塑料的半透明或透明基底(1)上，该方法的特征在于：借助一个固体脉动激光器(4)，或者至少一个脉动激光二极管，将一个脉冲短于30纳秒、波长在10微米和360纳米之间的脉动激光束(3)引至敷层(2)上须去除的地方，所采用的波长使基底(1)和敷层(2)的整体的吸收量小于30％，其中，该方法没有损坏基底的风险。 | ||
| 地址 | 比利时昂格勒尔 | ||