具有降低金属含量的硅晶体的制备方法和设备

摘要

公开了一种生产降低污染物的单晶硅的方法和设备。在一个实施方案中，由石墨构成并位于晶体提拉设备热区内的结构件有两个防护层。第一防护层直接涂敷在石墨部件上。第二防护层是硅层，涂敷在第一防护层上并覆盖第一防护层。在第二个实施方案中，由石墨构成并位于晶体提拉设备热区内的结构件有一个单一的防护层。所述单一防护层直接涂敷在石墨上并且由碳化硅和硅的混合物组成。

主权项

1.一种通过提拉法生长具有降低金属污染物含量的单晶硅的晶体提拉设备，所述设备包括：一个生长室；和布置在生长室内的结构件，所述部件包含石墨并具有覆盖石墨的第一防护层和在第一个防护层上的第二防护层，所述第二防护层是硅并且覆盖第一防护层。