| 发明名称 | 硅基组合物、低介电常数膜、半导体器件以及制造低介电常数膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种组合物，包含硅氧烷树脂、基本上由硅、碳和氢构成的硅化合物，其中在一分子的主链中形成-X-键的碳与硅原子数之比范围为2∶1～12∶1，其中X是(C)<SUB>m</SUB>，其中m是1～3的整数，或者9个或更少碳原子的取代或未取代的芳香族基团，和溶剂，对该组合物进行热处理以形成低介电常数膜。因此，提供了一种具有优异的耐化学品性和优异的耐潮性的低介电常数膜。通过采用该膜可制造出能快速响应的半导体集成电路。 | ||
| 申请公布号 | CN1220731C | 申请公布日期 | 2005.09.28 |
| 申请号 | CN01133846.6 | 申请日期 | 2001.12.24 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 中田义弘;铃木克己;杉浦严;矢野映 |
| 分类号 | C08L83/06;H01L23/28 | 主分类号 | C08L83/06 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 庞立志;王其灏 |
| 主权项 | 1.一种组合物，包含：硅氧烷树脂；骨架上含有硅-碳键的硅化合物，其中在一分子的主链中形成-X-键的碳与硅原子数之比为2∶1～12∶1，其中X是(C)m，其中m是1～3的整数，或者9个或更少碳原子的取代或未取代的芳香族基团；和溶剂。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||