闪存存储单元的制造方法

摘要

一种闪存存储单元的制造方法，此方法首先提供衬底，然后于衬底上形成图案化的掩模层。之后，以图案化的掩模层为掩模，蚀刻此衬底，以于衬底中形成沟槽。随后，在于衬底上形成第一介电层后，于沟槽侧壁形成第一栅极及第二栅极。接着，于沟槽底部的衬底中形成第一源区/漏区。随后，于衬底上形成第二介电层后，于第二介电层上形成钝化层。然后，去除部分的钝化层、第二介电层与第一介电层。接着，在于沟槽中填满第三栅极后，去除掩模层。之后，于衬底上形成第三介电层。随后，于第一栅极与第二栅极的侧壁形成第四栅极及第五栅极后，于第四栅极及第五栅极侧边的衬底形成第二源区/漏区。

主权项

1.一种闪存存储单元的制造方法，包括：提供一衬底；于该衬底上形成图案化的一掩模层；以图案化的该掩模层为掩模，蚀刻该衬底，以于该衬底中形成一沟槽；于该衬底上形成一第一介电层；于该沟槽的两侧壁各形成一第一栅极及一第二栅极，该第一栅极与该第二栅极相隔一距离，并曝露部分该沟槽底部的该第一介电层；于该沟槽底部的该衬底中形成一第一源区/漏区；于该衬底上形成一第二介电层；于该第二介电层上形成一钝化层；去除部分该钝化层、该第二介电层与该第一介电层，以露出该沟槽底部的该衬底表面；于该衬底上形成填满该沟槽的一第三栅极；去除该掩模层；于该衬底上形成一第三介电层；于该第一栅极及该第二栅极的侧壁形成所对应的一第四栅极及一第五栅极；以及于该第四栅极及该第五栅极侧边的该衬底中形成一第二源区/漏区。