发明名称 |
颗粒薄膜、使用该薄膜的垂直磁记录介质和磁记录设备 |
摘要 |
获得适于达到低噪声高磁记录密度的垂直磁记录介质。该介质具有小平均磁颗粒直径,小磁颗粒直径分布,高垂直结晶磁颗粒取向和高规则性磁颗粒排列。垂直磁记录介质包括衬底上的软磁层,颗粒底层和垂直磁记录层。在金属底层上形成颗粒底层。颗粒层中的金属颗粒被非磁性颗粒间材料分隔,并且部分穿入到金属底层中。在颗粒层上形成垂直磁记录层。于是垂直磁记录介质表现出高信噪比和极好的高密度记录特性。 |
申请公布号 |
CN1674104A |
申请公布日期 |
2005.09.28 |
申请号 |
CN200510059472.5 |
申请日期 |
2005.03.25 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
及川壮一;岩崎刚之;前田知幸;喜喜津哲 |
分类号 |
G11B5/66;G11B5/73;G11B5/738;G11B5/84 |
主分类号 |
G11B5/66 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
李德山 |
主权项 |
1.一种颗粒薄膜,包括:衬底;衬底上的金属底层;和金属底层上的颗粒层,其中颗粒层包括部分穿过体而进入金属底层的金属颗粒,和分隔金属颗粒的颗粒间材料,颗粒间材料包括从包括氧化物,氮化物和碳化物的组中选择的至少一种。 |
地址 |
日本东京都 |