带有底切区域中的绝缘层环的沟槽电容器及其制造方法

摘要

本发明涉及在底切区域中具有绝缘层环的沟槽电容器及其制造方法。制造沟槽电容器的一些方法包括在衬底上形成第一层。在与衬底相对的第一层上形成第二层。在第一和第二层之上形成具有开口的掩模。通过经由掩模中的开口去除第一和第二层的一部分形成第一沟槽。去除第二层下面的第一层的一部分，从而在第二层下面形成底切区域。在第二层下面底切区域中形成绝缘层环。通过经由掩模中的开口去除衬底的一部分形成从第一沟槽延伸的第二沟槽。沿着第二沟槽在衬底中形成掩埋极板。在第二沟槽的内壁和底部上形成介电层。在介电层上第二沟槽中形成存储电极。

主权项

1.一种制造沟槽电容器的方法，该方法包括：在衬底上形成第一层；在所述第一层上形成与所述衬底相对的第二层；在所述第一和第二层之上形成具有开口的掩模；通过经由所述掩模中的所述开口去除所述第一和第二层的一部分形成第一沟槽；去除所述第二层下面的所述第一层的一部分，从而在所述第二层下面形成底切区域；在所述第二层下面所述底切区域中形成绝缘层环；通过经由所述掩模中的所述开口去除所述衬底的一部分来形成从所述第一沟槽延伸的第二沟槽；沿着所述第二沟槽在所述衬底中形成掩埋极板；在所述第二沟槽的内壁和底部上形成介电层；以及在所述介电层上所述第二沟槽中形成存储电极。