闪速存储器的制造方法

摘要

一种闪速存储器的制造方法，此方法先提供衬底，此衬底包括有多个元件隔离结构以定义出有源区，且有源区的衬底上依序形成有穿隧介电层与掩模层。接着，移除每一个元件隔离结构的一部分，以形成多个沟槽。然后，于衬底上形成介电层，以覆盖掩模层与这些沟槽的表面。继之，在于这些沟槽内填入牺牲层后，以牺牲层为自行对准掩模，移除部分的介电层。接着，移除掩模层，以暴露出穿隧介电层。然后，于衬底上形成导体层。之后，移除部分的导体层直到暴露出牺牲层的顶部。继之，在移除牺牲层后，于衬底上形成栅极间介电层。然后，在于栅极间介电层上形成控制栅极后，于控制栅极两侧的衬底中形成源极区与漏极区。

主权项

1.一种闪速存储器的制造方法，包括：提供一衬底，该衬底上已依序形成有一穿隧介电层、一第一导体层、一垫氧化层与图案化的一掩模层；以图案化的该掩模层为掩模，移除部分该垫氧化层、该第一导体层、该穿隧介电层与该衬底，以于该衬底中形成多个第一沟槽；于该些第一沟槽中填入一绝缘材料，以形成多个元件隔离结构；移除各该些元件隔离结构的一部分，以形成多个第二沟槽，且所保留下来的各该些元件隔离结构的顶部介于该穿隧介电层与该掩模层之间；于该衬底上形成一介电层，以覆盖该掩模层与该些第二沟槽的表面；于该些第二沟槽内填入一牺牲层；以该牺牲层为一自行对准掩模，移除部分该介电层；移除该掩模层，以暴露出该垫氧化层；移除该垫氧化层，以暴露出该第一导体层；于该衬底上形成一第二导体层；移除部分该第二导体层直到暴露出该牺牲层的顶部，且该第二导体层与该第一导体层系构成一浮置栅极；移除该牺牲层；于该衬底上形成一栅极间介电层，以覆盖该浮置栅极；于该栅极间介电层上形成一控制栅极；以及于该控制栅极两侧的该衬底中分别形成一源极区与一漏极区。