晶体管和半导体电路的制造方法

摘要

形成一种包含催化剂的物质以同非晶硅膜紧密接触，或将催化剂导入非晶硅膜。在低于通常非晶硅结晶温度下热处理非晶硅膜，使其有选择地晶化。该结晶区用作能用于有源矩阵电路的外部驱动电路中的结晶硅TFT。保持非晶态的区用作可用于象素电路中的非晶硅TFT。本发明可在同一衬底上用同一工艺形成高速操作的结晶硅TFT和漏电流小的非晶硅TFT，从而大大增强了批量生产率和改善了产品诸性能。

主权项

1.制造晶体管的一种方法，其特征在于，它包括下列步骤：在衬底上制取硅膜，所述硅膜为非晶硅膜；往所述硅膜中加入催化元素，供催化晶化过程用；在400℃-600℃温度范围内的第一温度下对所述硅膜进行退火，以便用镍对所述硅膜晶化；在所述硅膜上形成栅极；通过除所述栅极作为掩模被形成的区域以外的所述硅膜的表面，往所述硅膜的一部分中引入杂质；通过溅射制取含催化元素的物质，使其与硅膜的所述一部分接触；和在低于第一温度的、400℃-600℃温度范围内的第二温度下对所述硅膜进行退火，以晶化所述硅膜的一部分并活化所述引入所述部分的杂质。