| 发明名称 | 铁电体存储器元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种铁电体存储器元件，其在电容器制造阶段中，可抑制在上电极和铁电体的界面上产生损伤。本发明的目的还在于提供一种铁电体存储器元件的制造方法，其在电容器制造阶段中，抑制在上电极和铁电体的界面上产生损伤。本发明的铁电体存储器元件，包括：基板(100)；铁电体电容器(130)，其形成在基板(100)的上方，包括下部电极(120)、铁电体膜(105)以及上部电极(106)；氢屏障膜(107、108)，覆盖铁电体电容器(130)而设置；层间绝缘膜(109)，设置在氢屏障膜(107、108)的上方。氢屏障膜(107、108)中设置在上部电极(106)的上方部分的膜厚，比氢屏障膜(107、108)中设置在铁电体电容器(130)的侧壁部分的膜厚厚。 | ||
| 申请公布号 | CN1674287A | 申请公布日期 | 2005.09.28 |
| 申请号 | CN200510056930.X | 申请日期 | 2005.03.23 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 田村博明;田川辉男 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L27/108;H01L21/82;G11C11/22 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚 |
| 主权项 | 1.一种铁电体存储器元件，包括：基板；铁电体电容器，形成在所述基板的上方，包括下部电极、铁电体膜以及上部电极；氢屏障膜，覆盖所述铁电体电容器而设置；层间绝缘膜，设置在所述氢屏障膜的上方；所述氢屏障膜中设置在所述上部电极的上方的部分的膜厚，比所述氢屏障膜中设置在所述铁电体电容器的侧壁的部分的膜厚厚。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||