发明名称 | 聚光装置 | ||
摘要 | 聚光装置具有多个光源(10、20)和合光元件(30)。这些光源(10、20)分别具有半导体激光器阵列叠层体(12、22)、准直透镜(16、26)和光束变换器(18、28)。因为合光元件(30)合成来自叠层体(12)的光束和来自叠层体(22)的光束,所以能够生成高光密度的激光束。合光元件(30)的透过单元(32)和反射单元(34),优选为沿叠层体(12、22)的叠层方向为细长的带状,这时,即便多个活性层(14、24)具有位置偏离,也可以由合光元件(30)适当地接受、合成从活性层(14、24)射出的光束。 | ||
申请公布号 | CN1675578A | 申请公布日期 | 2005.09.28 |
申请号 | CN03818635.7 | 申请日期 | 2003.08.28 |
申请人 | 浜松光子学株式会社 | 发明人 | 郑宇进;宫岛博文;菅博文 |
分类号 | G02B27/09;G02B27/10 | 主分类号 | G02B27/09 |
代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
主权项 | 1.一种聚光装置,该聚光装置具有第一光源、第二光源和合成来自所述第一光源的光束与来自所述第二光源的光束的第一合光元件,其特征在于:所述第一光源具有:含有沿第一方向并列配置的多个活性层的半导体激光器阵列在与所述第一方向垂直的方向上叠层多个的第一半导体激光器阵列叠层体、使从所述多个活性层射出的多个光束在与所述第一方向垂直的面内校准的第一准直透镜、和接受经过所述第一准直透镜校准的光束,使该光束的横截面大致旋转90°的第一光束变换器;所述第二光源具有:含有沿第二方向并列配置的多个活性层的半导体激光器阵列在与所述第二方向垂直的方向上叠层多个的第二半导体激光器阵列叠层体、使从所述多个活性层射出的多个光束在与所述第二方向垂直的面内校准的第二准直透镜、和接受经过所述第二准直透镜校准的光束,使该光束的横截面大致旋转90°的第二光束变换器;所述第一合光元件具有接受并透过从所述第一光束变换器射出的光束的透过单元、和接受并反射从所述第二光束变换器射出的光束的反射单元,将透过所述透过单元的光束和由所述反射单元反射的光束合成起来。 | ||
地址 | 日本静冈县 |