制造半导体器件的方法

摘要

本发明涉及一种制造半导体器件的方法，使用一系列氮化物膜的硬掩蔽膜作为蚀刻掩模形成一微小的图案，在执行硬掩蔽膜移除工序前，添加一使用氧化物蚀刻剂执行既定蚀刻的步骤以移除氮化物膜上的异常氧化膜。因此可能有效地移除硬掩蔽膜。利用HF与NH₄F的组分比以及蚀刻温度均得到优化的BOE作为氧化膜蚀刻剂，还可有效地防止硬掩蔽膜下的图案中生成孔隙。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，其包括步骤：在一图案膜上形成一系列氮化物膜的硬掩蔽膜，其可容易地与氧化膜蚀刻剂起化学反应；图案化所述硬掩蔽膜且接着使用已图案化的硬掩蔽膜作为蚀刻掩模执行一蚀刻工序以蚀刻图案膜；使用HF与NH4F所混合的一BOE溶液执行一蚀刻工序以移除形成在硬掩蔽膜上的自然氧化膜，其中避免了在硬掩蔽膜之下的图案膜的一部分中形成孔隙；和执行一磷酸汲出过程以移除所述硬掩蔽膜。