发明名称 |
激光加工方法及其设备 |
摘要 |
一边使掩模和硅膜相对移动一边多次照射脉冲激光,通过掩模和硅膜的相对移动,利用透过在掩模上相互不同位置上形成的开口部的脉冲激光的照射,形成在硅膜上照射的相互邻接的各激光照射区域,并且,邻接的各激光照射区域的各边界至少相互接触。 |
申请公布号 |
CN1221011C |
申请公布日期 |
2005.09.28 |
申请号 |
CN02108481.5 |
申请日期 |
2002.02.08 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
伊藤弘 |
分类号 |
H01L21/00;H01L21/324;B23K26/00 |
主分类号 |
H01L21/00 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
王勇;叶恺东 |
主权项 |
1.一种激光加工方法,在形成多个开口部的掩模上照射脉冲激光,在硅膜的多处同时照射分别透过多个所述开口部的所述脉冲激光,其特征是,一边相对地移动所述掩模和所述硅膜一边多次照射所述脉冲激光;所述掩模和所述硅膜的相对移动速度和所述脉冲激光的照射定时关系被设定成:在所述硅膜上相互邻接的各激光照射区域,通过透过所述掩模上相互不同的位置上形成的所述开口部的所述脉冲激光的照射而形成,并且,所述相互邻接的各激光照射区域边界部至少相互接触。 |
地址 |
日本神奈川县 |