| 发明名称 | 电致发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 为了在保持和改进EL元件性能的同时减少层数，从而降低成本。在像素电极(104，105)上形成阴极(106，107)、发光层(108)、阳极(109)和钝化膜(110)。此后，透过钝化膜(110)和阳极(109)在发光层(108)和阳极(109)之间的界面附近掺入卤族元素。这导致用作空穴传输层的空穴传输区(111)的形成，从而提高了光发射效率。 | ||
| 申请公布号 | CN1674748A | 申请公布日期 | 2005.09.28 |
| 申请号 | CN200510067789.3 | 申请日期 | 2000.07.24 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平 |
| 分类号 | H05B33/20;H05B33/12;H05B33/26;H05B33/10;H05K7/00 | 主分类号 | H05B33/20 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1.一种具有显示装置的电子器件，所述显示装置包括：在基片上夹在阴极和阳极之间的发光层；和形成在发光层上的钝化膜，其中杂质元素包含在一部分所述发光层中，其中该部分与所述阴极和所述阳极其中之一相接触。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||